以石墨单层为主要研究对象，改进微加工和机械撕揭相结合的制备工艺，运用新型粘结材料、采用压印转移技术和特殊衬底材料的选择，制备大面积石墨单层、双层和多层膜。改进SiC衬底加热升华制备方法，采用激光局部加热升华和退火处理技术，在绝缘SiC衬底上制备石墨单层、双层和多层膜。探索制备石墨单层、双层和多层膜的新工艺和新方法。改进现有的石墨单层、双层和多层的AFM和Raman表征方法，发展基于光学方法的新的表征技术。研究石墨单层、双层和多层膜中作为有效质量为零的狄拉克费米子的相对论量子行为，以及膜表面吸附和膜边界形貌对输运性质的影响。制备基于石墨单层、双层和多层膜的FET器件，并研究制备基于石墨单层中电子自旋特性的器件。