以Pentacene等几种有机半导体材料为主要研究对象，采用真空升华法制备薄膜和器件。通过衬底自组装单分子层、表面憎水化处理等方法进行衬底钝化，控制生长条件，降低薄膜生长成核密度；实现分层生长和取向生长，增大分子排列有序程度，减少薄膜中的缺陷；增大薄膜中晶粒尺寸，减少晶界对薄膜输运性质的影响；改善电极和有机半导体的接触特性。通过以上努力，降低有机半导体薄膜器件的工作电压，提高迁移率；研究不同溶剂、衬底条件和后处理工艺对旋涂法和喷涂法制备的有机半导体薄膜的影响，提高薄膜质量和器件性能。寻找新的有机半导体材料，特别是N型材料。制备单分子层有机半导体器件。探索基于长链有机半导体分子的单分子器件制备方法。探索有机磁性半导体材料和器件的可能性。本项研究在于理解不同衬底状况和生长条件对有机半导体薄膜生长的影响，通过改善薄膜质量以及电极和有机半导体接触特性提高器件性能，并开拓新的研究方向。