以氧化物半导体材料和GaN为主要研究对象，采用化学气相法制备半导体纳米线异质结，制备和自组装制备准一维半导体超晶格。在化学气相淀积、金属纳米颗粒催化的化学气相淀积和激光辅助的化学气相淀积制备ZnO/In2O3、ZnO/ZnS和GaN/ZnO等异质结结构，以及制备GaN/GaxMg1-xN、ZnO/ZnxMg1-x O等纳米线超晶格线过程中，通过控制反应气氛中的成分、浓度和不同成分分压比，改变催化金属纳米颗粒尺寸等方法，可控制备半导体纳米线异质结和超晶格。采用直接蒸发气相输运方法，自组装生长ZnO/In2O3、ZnO/Ga2O3等纳米线超晶格。研究低温外场下准一维半导体异质结和超晶格载流子输运性质。采用激发光谱、发射光谱、时间分辨光谱和配置于SEM中的阴极射线荧光光谱技术，研究准一维半导体异质结和超晶格所涉及的载流子激发、弛豫和复合性质。