厚度渐变ZnO基量子阱研究

采用厚度渐变ZnO/MgZnO量子阱和微区分光技术，通过对该量子阱的光学性质的系统研究，加深对ZnO基量子阱的物理光学性能的理解，为今后设计以该量子阱为基础的光电子器件提供可信赖的科学参考依据。厚度渐变结构的好处在于通过一次同时刻完全同样的生长条件，可以制备厚度连续变化的量子阱。这样不但可以排除因为生长条件的变化引起的差异，也可以保证观察到精细的光谱变化过程。本研究将对量子阱发光的量子效率，发光的物理机理，阱中的内建电场，缺陷杂质行为以及量子阱中高次能级等进行研究，尤其是重点研究量子阱厚度以及Mg组分的影响。在量子阱的制作中，通过采用适当的衬底和工艺，制作界面平坦的厚度渐变ZnO/MgZnO量子阱。在光学测量方面，以微区分光法为基础，通过测量发光的阱厚依赖关系，改变样品温度，调整激发光波长和功率，瞬态光谱测量等手段，对量子阱的光学性质进行系统研究。