厚度渐变ZnO基量子阱研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60876007
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:35.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0401.半导体材料
- 结题年份:2011
- 批准年份:2008
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2009-01-01 至2011-12-31
- 项目参与者:高玉琳; 陈主荣; 林爱清; 尚景智; 蔡丽娥; 薛正群;
- 关键词:
项目摘要
采用厚度渐变ZnO/MgZnO量子阱和微区分光技术,通过对该量子阱的光学性质的系统研究,加深对ZnO基量子阱的物理光学性能的理解,为今后设计以该量子阱为基础的光电子器件提供可信赖的科学参考依据。厚度渐变结构的好处在于通过一次同时刻完全同样的生长条件,可以制备厚度连续变化的量子阱。这样不但可以排除因为生长条件的变化引起的差异,也可以保证观察到精细的光谱变化过程。本研究将对量子阱发光的量子效率,发光的物理机理,阱中的内建电场,缺陷杂质行为以及量子阱中高次能级等进行研究,尤其是重点研究量子阱厚度以及Mg组分的影响。在量子阱的制作中,通过采用适当的衬底和工艺,制作界面平坦的厚度渐变ZnO/MgZnO量子阱。在光学测量方面,以微区分光法为基础,通过测量发光的阱厚依赖关系,改变样品温度,调整激发光波长和功率,瞬态光谱测量等手段,对量子阱的光学性质进行系统研究。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Well-width dependence of exciton–longitudinal-optical-phonon coupling in MgZnO/ZnO single quantum wells
MgZnO/ZnO 单量子阱中激子与纵向光声子耦合的阱宽依赖性
- DOI:10.1088/0957-4484/19/48/485401
- 发表时间:2008-12
- 期刊:Nanotechnology
- 影响因子:3.5
- 作者:
- 通讯作者:
ZnO /MgZnO 单量子阱的能带重正化与阱宽的关系
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:光学学报, 30 (10), 2967-2971, 2010
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
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- 影响因子:--
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- DOI:--
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- 影响因子:--
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- 通讯作者:张保平
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- DOI:--
- 发表时间:--
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- 影响因子:--
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- 通讯作者:张栋
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- DOI:--
- 发表时间:2015
- 期刊:哈尔滨工程大学学报
- 影响因子:--
- 作者:胡逢源;胡胜海;张保平;谢婷婷
- 通讯作者:谢婷婷
其他文献
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