课题基金 / 基金详情

绝缘层上SiGe材料的制备及弛豫机理研究

批准号：
60676005
项目类别：
面上项目
资助金额：
30.0 万元
负责人：
成步文
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
左玉华、罗丽萍、时文华、胡迪
关键词：
SOI键合应变SiGe弛豫

项目摘要

结项摘要

项目成果

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中文摘要
绝缘层上弛豫SiGe材料（SGOI，SiGe-on-insulator）将SiGe技术与SOI技术结合起来，是新一代微电子材料。本项目提出采用柔性键合与智能剥离技术，将应变的SiGe/Si材料与SiO2/Si进行柔性键合，在去除Si衬底过程中或去除衬底后的热处理过程中使SiGe的应变弛豫，从而制备出SGOI材料。通过对应变SiGe材料的生长、SiGe/Si与SiO2/Si柔性键合、SiGe/Si智能剥离技术的研究，以及对应变的SiGe薄膜材料在键合转移中和键合后热处理过程中应力的弛豫过程的物理机理的深入研究，探索一种工艺简单、材料质量优良的实现SGOI材料的新方法，为新一代超高速、低功耗的微电子集成电路的研制打下材料基础。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
A base-emitter self-aligned Multi-finger Si1-xGex/Si power heterojunction bipolar transistor
基极-发射极自对准多指Si1-xGex/Si功率异质结双极晶体管
DOI： --
发表时间： --
期刊： Chin. Phys. Lett., 25, 274 (2008)
影响因子： --
作者： [成步文]
通讯作者： 成步文
超薄阳极氧化铝模板的制备
DOI： --
发表时间： --
期刊： 微细加工技术
影响因子： --
作者： [成步文]
通讯作者： 成步文
Fabrication of Silicon-based Template-assisted Nanoelectrode Arrays and Ohmic Contact Properties Investigation
硅基模板辅助纳米电极阵列的制备及欧姆接触特性研究
DOI： --
发表时间： --
期刊： Journal of Nanoscience and Nanotechnology
影响因子： --
作者： [成步文]
通讯作者： 成步文
Zero biased Ge-on-Si photodetector with a bandwidth of 4.72 GHz at 1550 nm ⁄
DOI： 10.1088/1674-1056/18/6/070
发表时间： 2009-06
期刊： Chinese Physics B
影响因子： 1.7
作者： [Xu Hai-yun;Xue Chunlai;Cheng Buwen;Yu Yude;Wang Qi-ming]
通讯作者： Xu Hai-yun;Xue Chunlai;Cheng Buwen;Yu Yude;Wang Qi-ming
共 12 条
    固-气混合分子束外延生长GeSn合金材料动力学研究
    固—气混合分子束外延生长GeSn合金材料动力学研究
    • 批准号：
      62274160
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      52.00万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      成步文
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    锗锡合金中锡的迁移动力学研究
    • 批准号：
      61774143
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      67.0万元
    • 批准年份：
      2017
    • 负责人：
      成步文
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    硅基高速光接收机集成芯片基础研究
    • 批准号：
      61435013
    • 项目类别：
      重点项目
    • 资助金额：
      370.0万元
    • 批准年份：
      2014
    • 负责人：
      成步文
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    国内基金
    海外基金