hBN材料中缺陷对中子探测器性能的影响
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用正电子湮没谱研究W、Zr等纳米合金的结构稳定性
- 批准号:11575129
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:80.0万元
- 批准年份:2015
- 负责人:王柱
- 依托单位:
用正电子湮没谱学研究辐照缺陷的自修复机理
- 批准号:11275142
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:90.0万元
- 批准年份:2012
- 负责人:王柱
- 依托单位:
用高分辨数字式正电子寿命谱研究AlN、ZnO等半导体中的缺陷
- 批准号:10775107
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:38.0万元
- 批准年份:2007
- 负责人:王柱
- 依托单位:
用二维多普勒展宽谱研究GaSb等半导体的缺陷及缺陷化学环境
- 批准号:10375043
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:37.0万元
- 批准年份:2003
- 负责人:王柱
- 依托单位:
国内基金
海外基金
