hBN材料中缺陷对中子探测器性能的影响
批准号:
--
项目类别:
联合基金项目
资助金额:
280 万元
负责人:
王柱
依托单位:
学科分类:
--
结题年份:
--
批准年份:
2020
项目状态:
未结题
项目参与者:
王柱
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用正电子湮没谱研究W、Zr等纳米合金的结构稳定性
  • 批准号:
    11575129
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    80.0万元
  • 批准年份:
    2015
  • 负责人:
    王柱
  • 依托单位:
用正电子湮没谱学研究辐照缺陷的自修复机理
  • 批准号:
    11275142
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    90.0万元
  • 批准年份:
    2012
  • 负责人:
    王柱
  • 依托单位:
用高分辨数字式正电子寿命谱研究AlN、ZnO等半导体中的缺陷
  • 批准号:
    10775107
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    38.0万元
  • 批准年份:
    2007
  • 负责人:
    王柱
  • 依托单位:
用二维多普勒展宽谱研究GaSb等半导体的缺陷及缺陷化学环境
  • 批准号:
    10375043
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    37.0万元
  • 批准年份:
    2003
  • 负责人:
    王柱
  • 依托单位:
国内基金
海外基金