hBN材料中缺陷对中子探测器性能的影响

批准号：

--

项目类别：

联合基金项目

资助金额：

280 万元

负责人：

王柱

依托单位：

武汉大学

学科分类：

无机非金属基础材料

结题年份：

--

批准年份：

2020

项目状态：

未结题

项目参与者：

王柱

关键词：

hBN材料中缺陷中子探测器性能

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