用高分辨数字式正电子寿命谱研究AlN、ZnO等半导体中的缺陷
批准号：
10775107
项目类别：
面上项目
资助金额：
38.0 万元
负责人：
王柱
依托单位：
学科分类：
核分析技术及应用
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
马莉、祁宁、李辉、张宏俊、汪兵、陈春钦
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
本项目研究高分辨率数字正电子寿命谱技术并建立一套高分辨率的数字正电子寿命谱仪，并用于短寿命及小寿命差鉴定。以此为基础，结合正电子湮没符合多普勒展宽测量和一些光学（光致发光谱等）、电学方法（霍尔等），研究非掺、掺杂以及经过热处理的ZnO、InP等材料中的重要基础问题，ZnO材料p型导电载流子补偿机制、本征半绝缘型InP的形成机理。研究缺陷亚晶格和空位-杂质复合体，研究缺陷的种类、构型、浓度、荷电状态、不同掺杂浓度对缺陷的影响以及由此造成的补偿变化等。研究辐照、离子注入和经热处理后材料中缺陷的结构类型、浓度、荷电状态、空位缺陷与杂质的复合体的变化。研究非化学计量对缺陷结构的影响。本项目对促进正电子谱学技术的发展，以及改进半导体光电材料的制备方法，提高半导体材料的性能具有实际意义。
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PROTON-IRRADIATION INDUCED DEFECTS IN Te-DOPED GaSb STUDIED BY PHOTOLUMINESCENCE AND POSITRON ANNIHILATION SPECTROSCOPY
通过光致发光和正电子湮没光谱研究掺碲GaSb中质子辐照引起的缺陷
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DOI：
10.1142/s0217984910025024
发表时间：
2010-10
期刊：
Modern Physics Letters B
影响因子：
1.9
作者：
[KAI ZHOU, HUI LI, ZHU WANG]
通讯作者：
ZHU WANG
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[周凯, 李辉, 王柱]
通讯作者：
王柱
Compositional dependence of the open volume of GeSx glasses studied by positron annihilation spectroscopy
正电子湮没光谱研究 GeSx 玻璃开放体积的成分依赖性
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications
影响因子：
0.5
作者：
[Tao, Haizheng, Wang, Bing, Zhao, Xiujian, Zeng, Jianmin, Li, Hui, Wang, Zhu, Lin, Changgui]
通讯作者：
Lin, Changgui
A simplified digital positron lifetime spectrometer based on a fast digital oscilloscope
基于快速数字示波器的简化数字正电子寿命谱仪
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DOI：
10.1016/j.nima.2010.10.005
发表时间：
2011
期刊：
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A
影响因子：
--
作者：
[Li Hui,ShaoYundong,ZhouKai,PangJingbiao,WangZhu]
通讯作者：
Li Hui,ShaoYundong,ZhouKai,PangJingbiao,WangZhu
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
武汉大学学报(理学版)
影响因子：
--
作者：
[赵有文, 庞锦标, 柯君玉, 李辉, 王柱, 戴益群]
通讯作者：
戴益群
共 15 条
hBN材料中缺陷对中子探测器性能的影响
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批准号：--
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项目类别：联合基金项目
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资助金额：280万元
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批准年份：2020
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负责人：王柱
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依托单位：
用正电子湮没谱研究W、Zr等纳米合金的结构稳定性
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批准号：11575129
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项目类别：面上项目
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资助金额：80.0万元
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批准年份：2015
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负责人：王柱
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依托单位：
用正电子湮没谱学研究辐照缺陷的自修复机理
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批准号：11275142
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项目类别：面上项目
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资助金额：90.0万元
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批准年份：2012
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负责人：王柱
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依托单位：
用二维多普勒展宽谱研究GaSb等半导体的缺陷及缺陷化学环境
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批准号：10375043
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项目类别：面上项目
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资助金额：37.0万元
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批准年份：2003
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负责人：王柱
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依托单位：
国内基金
海外基金