本项目进一步完善新发展的正电子湮没符合多普勒展宽谱技术，研究实验数据的处理分析方法，用于鉴别缺陷周围的化学环境。以其为基础，结合正电子寿命测量和一些光学（荧光光谱等）、电学方法（霍尔等），研究非掺、掺杂以及经过热处理的GaSb等材料中的缺陷亚晶格和空位-杂质复合体，研究缺陷的种类、构型、浓度、荷电状态、不同掺杂浓度对缺陷的影响以及由此造成的补偿变化等。研究电子辐照、质子辐照、离子注入和经热处理后材料中缺陷的结构类型、荷电状态、空位缺陷与杂质的复合体的变化。研究非化学计量对缺陷结构的影响。计算正电子在不同缺陷亚晶格和缺陷-杂质复合体处湮没时的多普勒展宽谱，并与实验结果比较。本项目对改进半导体光电材料的制备方法，提高半导体材料的性能具有实际意义。二维多普勒展宽谱的应用也有利于促进正电子湮没方法的发展。