用二维多普勒展宽谱研究GaSb等半导体的缺陷及缺陷化学环境
批准号：
10375043
项目类别：
面上项目
资助金额：
37.0 万元
负责人：
王柱
依托单位：
学科分类：
核分析技术及应用
结题年份：
2006
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
赵有文、戴益群、马莉、董志远、张明、祁宁、胡卫国、苏本发、郑子尧
项目摘要
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项目成果
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中文摘要
本项目进一步完善新发展的正电子湮没符合多普勒展宽谱技术，研究实验数据的处理分析方法，用于鉴别缺陷周围的化学环境。以其为基础，结合正电子寿命测量和一些光学（荧光光谱等）、电学方法（霍尔等），研究非掺、掺杂以及经过热处理的GaSb等材料中的缺陷亚晶格和空位-杂质复合体，研究缺陷的种类、构型、浓度、荷电状态、不同掺杂浓度对缺陷的影响以及由此造成的补偿变化等。研究电子辐照、质子辐照、离子注入和经热处理后材料中缺陷的结构类型、荷电状态、空位缺陷与杂质的复合体的变化。研究非化学计量对缺陷结构的影响。计算正电子在不同缺陷亚晶格和缺陷-杂质复合体处湮没时的多普勒展宽谱，并与实验结果比较。本项目对改进半导体光电材料的制备方法，提高半导体材料的性能具有实际意义。二维多普勒展宽谱的应用也有利于促进正电子湮没方法的发展。
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共 28 条
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