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金属-HfO2基铁电薄膜-绝缘层-半导体(MFIS)存储单元结构中的界面电荷注入效应研究
批准号：
--
项目类别：
资助金额：
60 万元
负责人：
陆旭兵
依托单位：
华南师范大学
学科分类：
--
结题年份：
--
批准年份：
2021
项目状态：
未结题
项目参与者：
陆旭兵
关键词：
存储单元结构中的半导体(MFIS)金属-HfO2基绝缘层注入
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HfO2基铁电薄膜的矫顽场调制研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    15.0万元
  • 批准年份：
    2024
  • 负责人：
    陆旭兵
  • 依托单位：
    华南师范大学
金属-HfO2基铁电薄膜—绝缘层—半导体(MFIS)存储单元结构中的界面电荷注入效应研究
  • 批准号：
    62174059
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    60.00万元
  • 批准年份：
    2021
  • 负责人：
    陆旭兵
  • 依托单位：
    华南师范大学
超低漏电高介电常数薄膜的液相法低温制备及其与有机半导体的界面修饰研究
  • 批准号：
    51872099
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    60.0万元
  • 批准年份：
    2018
  • 负责人：
    陆旭兵
  • 依托单位：
    华南师范大学
外延BaTiO3薄膜的导电性能调控及电荷输运机制研究
  • 批准号：
    51472093
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    83.0万元
  • 批准年份：
    2014
  • 负责人：
    陆旭兵
  • 依托单位：
    华南师范大学
基于高K浮栅的有机非易失性浮栅存储器件研究
  • 批准号：
    61271127
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    88.0万元
  • 批准年份：
    2012
  • 负责人：
    陆旭兵
  • 依托单位：
    华南师范大学
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