金属-HfO2基铁电薄膜-绝缘层-半导体(MFIS)存储单元结构中的界面电荷注入效应研究
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HfO2基铁电薄膜的矫顽场调制研究
- 批准号:--
- 项目类别:省市级项目
- 资助金额:15.0万元
- 批准年份:2024
- 负责人:陆旭兵
- 依托单位:
金属-HfO2基铁电薄膜—绝缘层—半导体(MFIS)存储单元结构中的界面电荷注入效应研究
- 批准号:62174059
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:60.00万元
- 批准年份:2021
- 负责人:陆旭兵
- 依托单位:
超低漏电高介电常数薄膜的液相法低温制备及其与有机半导体的界面修饰研究
- 批准号:51872099
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:60.0万元
- 批准年份:2018
- 负责人:陆旭兵
- 依托单位:
外延BaTiO3薄膜的导电性能调控及电荷输运机制研究
- 批准号:51472093
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:83.0万元
- 批准年份:2014
- 负责人:陆旭兵
- 依托单位:
基于高K浮栅的有机非易失性浮栅存储器件研究
- 批准号:61271127
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:88.0万元
- 批准年份:2012
- 负责人:陆旭兵
- 依托单位:
国内基金
海外基金
