半导体功率器件输出电容动态本征能耗物理机理及模型研究
批准号：
62074020
项目类别：
面上项目
资助金额：
59 万元
负责人：
林智
依托单位：
重庆大学
学科分类：
F0404.半导体电子器件与集成
结题年份：
--
批准年份：
2020
项目状态：
未结题
项目参与者：
林智
关键词：
物理机理及模型研究
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SiC MOSFET和肖特基二极管软开关异常损耗机理研究
  • 批准号：
    n/a
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    0.0万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    林智
  • 依托单位：
    重庆大学
基于沟槽型深漏端扩散区和场板技术的新型超结LDMOS的模型研究及研制
  • 批准号：
    61604024
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    20.0万元
  • 批准年份：
    2016
  • 负责人：
    林智
  • 依托单位：
    重庆大学
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