SiC MOSFET和肖特基二极管软开关异常损耗机理研究
批准号：
n/a
项目类别：
省市级项目
资助金额：
--
负责人：
林智
依托单位：
重庆大学
学科分类：
E07.电气科学与工程
结题年份：
--
批准年份：
2022
项目状态：
未结题
项目参与者：
林智
关键词：
SiC MOSFET 肖特基二极管 软开关 异常损耗 功率半导体
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点，提供专业选题建议
深度指导申报书撰写，确保创新可行
指导项目中标800+，快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
半导体功率器件输出电容动态本征能耗物理机理及模型研究
  • 批准号：
    62074020
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    59万元
  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    林智
  • 依托单位：
    重庆大学
基于沟槽型深漏端扩散区和场板技术的新型超结LDMOS的模型研究及研制
  • 批准号：
    61604024
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    20.0万元
  • 批准年份：
    2016
  • 负责人：
    林智
  • 依托单位：
    重庆大学
国内基金
海外基金