SiC MOSFET和肖特基二极管软开关异常损耗机理研究
批准号:
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项目类别:
省市级项目
资助金额:
万元
负责人:
林智
依托单位:
学科分类:
电气科学与工程
结题年份:
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批准年份:
2022
项目状态:
未结题
项目参与者:
林智
关键词:
半导体功率器件输出电容动态本征能耗物理机理及模型研究
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批准号:62074020
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项目类别:面上项目
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资助金额:59.0万元
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批准年份:2020
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负责人:林智
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依托单位:
基于沟槽型深漏端扩散区和场板技术的新型超结LDMOS的模型研究及研制
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批准号:61604024
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2016
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负责人:林智
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依托单位:
国内基金
海外基金