一种应用于AlGaN/GaN微波功率器件的场板栅结构理论模型和新工艺研究

着重于宽禁带半导体异质结AlGaN/GaN HEMT微波功率器件的场板（FP）栅结构的解析模型和SiN介质层新工艺研究，包括在数值模拟的基础上建立实用的FP栅结构解析模型，以用于器件的优化设计；采用超高真空蒸发设备制备高品质SiN薄膜,所采用的剥离技术完全兼容常规结构AlGaN/GaN HEMT器件工艺，大大降低器件研制成本。在已经掌握AlGaN/GaN异质外延生长、掌握常规栅结构器件制造的基础上，进一步研发输出功率比常规栅器件提高50％以上的FP栅器件样品，这种器件在国内正在进行的区电工程、998工程的机载相控阵雷达、电子战系统以及新一代卫星收发系统中有极大的应用潜力。这种在理论上系统研究FP栅结构器件解析模型的课题在国内外还未见详细报道，而且这种研发具有自主知识产权的FP栅AlGaN/GaN 大功率微波器件的课题对我国防装备的现代化建设具有重大意义。