课题基金 / 基金详情

金属纳米结构在半导体发光器件中的应用基础研究

批准号：
10704052
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
25.0 万元
负责人：
王建峰
依托单位：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
学科分类：
光学
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
熊贵光、王怀兵、高飞、赵德胜、张熙、程绮文
关键词：
半导体激光器表面等离子体光学金属纳米结构半导体发光器件半导体发光二极管

项目摘要

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项目成果

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中文摘要
在半导体发光器件上制作金属纳米结构，引入的表面等离子体光学效应将会给半导体光电子学研究带来新的关注点。本项目将着重关注这一领域，针对发光效率很低的紫外发光二极管，通过设计适当的器件结构并在P型层上制作特殊的金属纳米结构，使得发光二极管能够在电注入条件下工作，并使得表面等离子体激元和紫外发光二极管的量子阱能够有效耦合，研究表面等离子体光学效应对非辐射复合及辐射复合的影响，探索这一效应用于提高紫外发光二极管输出功率的方法。针对大功率激光器，通过在腔面上制作特殊的金属纳米结构，利用表面等离子光学效应将激光器出射光场耦合到整个金属纳米结构上，通过这一效应可以提高腔面损伤阈值，研究表面等离子光学效应对出射激光光场分布、激光输出功率等特性的影响，探索这一效应用于提升激光器工作性能的方法。
英文摘要
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专利列表
Growth behavior of GaN film along non-polar [11-20] directions
GaN薄膜沿非极性[11-20]方向的生长行为
DOI： 10.1016/j.physb.2010.10.007
发表时间： 2011
期刊： Physica B-Condensed Matter
影响因子： 2.8
作者： [Bian, Lifeng, Yang, Hui, Wang, Jianfeng, Gong, Xiaojing, Zhang, Jingping, Xu, Zijian, Xu, Ke]
通讯作者： Xu, Ke
Polarized GaN-based LED with an integrated multi-layer subwavelength structure.
DOI： 10.1364/oe.18.007019
发表时间： 2010-03
期刊： Optics express
影响因子： 3.8
作者： [Guiju Zhang;Chinhua Wang;B. Cao;Zengli Huang;Jianfeng Wang;Baoshun Zhang;Ke Xu]
通讯作者： Guiju Zhang;Chinhua Wang;B. Cao;Zengli Huang;Jianfeng Wang;Baoshun Zhang;Ke Xu
Mechanism on Effect of Surface Plasmons Coupling with InGaN/GaN Quantum Wells: Enhancement and Suppression of Photoluminescence Intensity
InGaN/GaN量子阱表面等离子体耦合效应机制：光致发光强度的增强和抑制
DOI： --
发表时间： --
期刊： Applied Physics Express
影响因子： 2.3
作者： [Liu, Zhenghui, Cao, Bing, Wang, Jianfeng, Xu, Ke, Zhang, Guiju, Han, Qin, Huang, Zengli, Wang, Chinhua, Yang, Hui]
通讯作者： Yang, Hui
Analysis of Modified Williamson-Hall Plots on GaN Layers
GaN 层上修正的威廉姆森-霍尔图分析
DOI： 10.1088/0256-307x/28/1/016101
发表时间： 2011
期刊： Chinese Physics Letters
影响因子： 3.5
作者： [Wang Jian-Feng, Yang Hui, Qiu Yong-Xin, Xu Ke, Liu Jian-Qi]
通讯作者： Liu Jian-Qi
p型GaN单晶衬底的HVPE制备及生长物理研究
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