Analysis of Modified Williamson-Hall Plots on GaN Layers
Analysis of Modified Williamson-Hall Plots on GaN Layers
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GaN 层上修正的威廉姆森-霍尔图分析
DOI：
10.1088/0256-307x/28/1/016101
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发表时间：
2011
影响因子：
3.5
通讯作者：
Liu Jian-Qi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Jian-Feng;Yang Hui;Qiu Yong-Xin;Xu Ke;Liu Jian-Qi
威廉姆森-霍尔(W-H)分析常用于分离具有洛伦兹分布的ω扫描的横向相干长度展宽和位错展宽。然而，除了LCL展宽和位错展宽外，曲率也
Williamson—Hall (W-H) analysis is often used to separate the lateral coherence length (LCL) broadening and dislocation broadening on the ω-scan with a Lorentzian distribution. However, besides the LCL broadening and dislocation broadening, curvature also
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影响因子：
3.7
作者：
Kaganer, VM;Brandt, O;Ploog, KH
通讯作者：
Ploog, KH
DOI：
10.1557/s109257830000017x
发表时间：
2001
期刊：
Mrs Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
影响因子：
--
作者：
Yingguo Shi;B. Liu;Lianghong Liu;J. Edgar;E. A. Payzant;J. Hayes;M. Kuball
通讯作者：
Yingguo Shi;B. Liu;Lianghong Liu;J. Edgar;E. A. Payzant;J. Hayes;M. Kuball
DOI：
10.1557/s1092578300000260
发表时间：
2001
期刊：
Mrs Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
影响因子：
--
作者：
R. Davis;T. Gehrke;K. Linthicum;P. Rajagopal;A. Roskowski;T. Zheleva;E. Preble;C. Zorman;M. Mehregany;U. Schwarz;J. Schuck;R. Grober
通讯作者：
R. Davis;T. Gehrke;K. Linthicum;P. Rajagopal;A. Roskowski;T. Zheleva;E. Preble;C. Zorman;M. Mehregany;U. Schwarz;J. Schuck;R. Grober
影响因子：
2.3
作者：
K. Okamoto;Taketoshi Tanaka;M. Kubota
通讯作者：
K. Okamoto;Taketoshi Tanaka;M. Kubota
影响因子：
3.1
作者：
Eastman, LF;Mishra, UK
通讯作者：
Mishra, UK