低维电子材料及其纳米器件的原位电输运表征
批准号:
11374021
项目类别:
面上项目
资助金额:
89.0 万元
负责人:
陈剑豪
依托单位:
学科分类:
凝聚态物质电子结构
结题年份:
2017
批准年份:
2013
项目状态:
已结题
项目参与者:
颜世莉、刘鑫、刘雪峰
中文摘要
新型低维电子材料、低维电子态和人工制造的纳米结构由于其奇异的空间受限的量子态、远远超出块体材料的可调控性和广阔的应用前景受到科技界的强烈关注。这些低维材料和纳米结构的可调控性相当一部分来源于其较大的表面体积比,因而更容易受到环境的影响。在申请人前期实验的基础上,本项目计划通过超高真空环境下的原位输运表征,系统地研究人工改变这些低维电子体系的相互作用,比如电子电子相互作用、自旋轨道耦合强度等,对这些低维材料和纳米结构物性的影响。本项目将揭示低维电子体系输运现象的内在物理原理,并有力地探索开发新型材料及其纳米复合结构的新功能,具有重要的学术与应用价值。
英文摘要
Novel low-dimensional electronic materials, low-dimensional electronic states, and artificial nanostructures attracted a lot of attention from the scientific and technical community, due to their exotic, spatially confined quantum states, superior tunability of their electronic properties and prospects for applications. Such tunability largely comes from the large surface-to-volume ratio of these electronic systems, making them highly susceptible to the surrounding environment. Based on previous experimental results by the applicant, this proposal outlined a plan to systematically study the effects of artificially engineered interactions in these low-dimensional electronic systems. Examples of tunable interactions include electron-electron interactions, spin-orbit interactions, etc. This project is going to clearly resolve the physics behind transport phenomena of low-dimensional materials and nanostructures, as well as to effectively explore new functionalities in the materials in question. Successful completion of this project will have a significant impact on the scientific and technical community.
新型低维电子材料、低维电子态和人工制造的纳米结构由于其奇异的空间受限的量子态、远远超出块体材料的可调控性和广阔的应用前景受到科技界的强烈关注。这些低维材料和纳米结构的可调控性相当一部分来源于其较大的表面体积比,因而更容易受到环境的影响。在申请人前期实验的基础上,本项目通过超高真空环境下的原位输运表征,系统地研究人工改变这些低维电子体系的相互作用,比如电子电子相互作用、自旋轨道耦合强度等,对这些低维材料和纳米结构物性的影响。本项目揭示了低维电子体系输运现象的内在物理原理,并有力地探索开发新型材料及其纳米复合结构的新功能,具有重要的学术与应用价值。
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Gate-controlled reversible rectifying behaviour in tunnel contacted atomically-thin MoS(2) transistor.
隧道接触原子薄MoS2晶体管中的栅控可逆整流行为
DOI:
10.1038/s41467-017-01128-9
发表时间:
2017-10-17
期刊:
Nature communications
影响因子:
16.6
作者:
[Li XX, Fan ZQ, Liu PZ, Chen ML, Liu X, Jia CK, Sun DM, Jiang XW, Han Z, Bouchiat V, Guo JJ, Chen JH, Zhang ZD]
通讯作者:
Zhang ZD
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
中国科学:物理学 力学 天文学
影响因子:
--
作者:
[颜世莉, 谢志坚, 王磊, 陈剑豪]
通讯作者:
陈剑豪
DOI:
10.1088/2053-1583/aa613b
发表时间:
2017-02
期刊:
2D Materials
影响因子:
5.5
作者:
[Xin Liu;Zhiran Zhang;Chaoyi Cai;S. Tian;S. Kushwaha;Hong Lu;T. Taniguchi;Kenji Watanabe]
通讯作者:
Xin Liu;Zhiran Zhang;Chaoyi Cai;S. Tian;S. Kushwaha;Hong Lu;T. Taniguchi;Kenji Watanabe
DOI:
10.1002/adma.201600100
发表时间:
2016
期刊:
Advanced Materials
影响因子:
29.4
作者:
[Zheng Feipeng, Cai Chaoyi, Ge Shaofeng, Zhang Xuefeng, Liu Xin, Lu Hong, Zhang Yudao, Qiu Jun, Taniguchi Takashi, Watanabe Kenji, Jia Shuang, Qi Jingshan, Chen Jian-Hao, Sun Dong, Feng Ji]
通讯作者:
Feng Ji
Electrically Tunable Energy Bandgap in Dual-Gated Ultra-Thin Black Phosphorus Field Effect Transistors
双栅极超薄黑磷场效应晶体管中的电可调能量带隙
DOI:
10.1088/0256-307x/34/4/047304
发表时间:
2017-03
期刊:
CHINESE PHYSICS LETTERS
影响因子:
3.5
作者:
[Yan Shi-Li, Xie Zhi-Jian, Chen Jian-Hao, Taniguchi Takashi, Watanabe Kenji]
通讯作者:
Watanabe Kenji
共 6 条
低维自旋波量子的电调控与逻辑开关研究
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批准号:92265106
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:74.00万元
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批准年份:2022
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负责人:陈剑豪
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依托单位:
拓扑与关联体系的原位输运与扫描隧道电势测量研究
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批准号:11934001
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项目类别:重点项目
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资助金额:330.0万元
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批准年份:2019
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负责人:陈剑豪
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依托单位:
低维材料量子霍尔边缘态中畴界和马约拉纳零能态的探索和研究
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批准号:11774010
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项目类别:面上项目
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资助金额:74.0万元
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批准年份:2017
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负责人:陈剑豪
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依托单位:
超高真空原位电子输运测量系统
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批准号:11327406
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:270.0万元
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批准年份:2013
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负责人:陈剑豪
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依托单位:
国内基金
海外基金