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高Al组份AlxGa1-xN 宽禁带半导体薄膜的MOCVD外延生长和掺杂研究

批准号：
60444007
项目类别：
专项基金项目
资助金额：
6.0 万元
负责人：
沈波
依托单位：
北京大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2005
批准年份：
2004
项目状态：
已结题
项目参与者：
徐科、许福军、雷双英、唐宁、王茂俊、王彦、鲁麟
关键词：
III族氮化物MOCVD生长高Al组份掺杂..宽禁带半导体

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中文摘要
基于高Al组份AlxGa1-xN/GaN量子阱和异质结构的紫外光发射器件、子带跃迁光电子器件和高温、高功率微波器件是当前国际半导体研究的前沿领域。本申请项目以该类光电子和微电子器件研制对材料的需求为背景，对高Al组份AlxGa1-xN外延材料的MOCVD生长动力学和掺杂动力学，及相关材料的微结构、光学性质和电学性质进行系统、深入的研究，并尝试开展高Al组份AlxGa1-xN/GaN量子阱和异质结
英文摘要
AlGaN基250nm及以下远紫外发光材料和器件研究
  • 批准号：
    62234001
  • 项目类别：
    重点项目
  • 资助金额：
    290万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    沈波
  • 依托单位：
    北京大学
深紫外时间和空间分辨压力光谱系统研制
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    国家重大科研仪器研制项目
  • 资助金额：
    792万元
  • 批准年份：
    2019
  • 负责人：
    沈波
  • 依托单位：
    北京大学
Si衬底上氮化物半导体异质结构材料和功率电子器件相关物理问题研究
  • 批准号：
    11634002
  • 项目类别：
    重点项目
  • 资助金额：
    310.0万元
  • 批准年份：
    2016
  • 负责人：
    沈波
  • 依托单位：
    北京大学
III族氮化物半导体异质结构中的自旋轨道耦合效应及其调控
  • 批准号：
    11174008
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    75.0万元
  • 批准年份：
    2011
  • 负责人：
    沈波
  • 依托单位：
    北京大学
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