III族氮化物半导体异质结构中的自旋轨道耦合效应及其调控

本课题主要研究内容包括高质量GaN基异质结构的MOCVD外延生长、以GaN基异质结构为主的六方对称半导体低维量子结构中的自旋分裂及其各向异性研究、以及材料结构参数、栅压、应变和极化效应对低维量子结构中载流子自旋轨道耦合的作用规律等。四年来，经过课题组成员的不懈努力，我们在高质量AlxGa1-xN/GaN和InxAl1-xN/GaN异质结构材料的MOCVD外延生长、GaN基异质结构、ZnO基异质结构和其它六方对称半导体低维量子结构自旋性质研究等方面开展了系统的工作，取得了若干重要进展。四年来共发表SCI收录论文17篇，包括Nano Letters论文3篇、Scientific Reports论文4篇、APL论文8篇，申请国家发明专利5件，在国际学术会议上做邀请报告1次，在国内学术会议上做邀请报告5次。 4年来共毕业博士研究生10人、硕士研究生4人，主办国际学术会议1次、国内学术会议1次，多次担任国际学术会议程序、组织委员会成员，圆满完成了计划任务书规定的各项研究任务。