AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的量子输运性质

属于高能带阶跃、强极化半导体低维体系的GaN基异质结构不仅在高频、高温、高功率电子器件领域具有重大应用，而且对丰富和发展半导体低维物理具有重要的科学意义。本申请项目以发展GaN基半导体异质结构材料与器件、探索GaN基异质结构中高密度二维电子气(2DEG)运动规律为目标，以强磁场、超低温磁阻测量为主要手段，开展AlGaN/GaN异质结构中2DEG的量子输运研究，主要内容包括：高质量AlGaN/GaN异质结构材料的MOCVD生长和材料微结构表征、AlGaN/GaN异质界面量子阱的精细能带结构和载流子占据、强极化电场下2DEG的输运性质和本征自旋性质等。本项目申请人及所领导的课题组近年来一直从事该领域的研究工作，取得了一批富有特色的研究成果并积累了经验。本项目的研究目标和内容均处于当前国际上半导体低维物理和宽禁带半导体材料、器件研究的前沿领域。