SiGe/Si等平面化真空微电子雪崩击穿电子发射器件研究
批准号：
69676037
项目类别：
面上项目
资助金额：
9.0 万元
负责人：
朱大中
依托单位：
学科分类：
半导体电子器件与集成
结题年份：
1999
批准年份：
1996
项目状态：
已结题
项目参与者：
郑海东、郭梅娟、郭亮、何建飞
关键词：
项目成果
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Si based quasi-planar self-aligned electron emission array
硅基准平面自对准电子发射阵列
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DOI：
10.1016/s0169-4332(02)00933-9
发表时间：
2002-12
期刊：
Applied Surface Science
影响因子：
6.7
作者：
[Dazhong Zhu, Jiahua Zhu]
通讯作者：
Jiahua Zhu
DESIGN AND RESEARCH OF QUASI-PLANAR SELF-ALIGNED SILICON AVALANCHE ELECTRON EMMISSION ARRAY
准平面自对准硅雪崩电子发射阵列的设计与研究
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
Journal of Electronics(CHINA)
影响因子：
--
作者：
[Zhu Dazhong]
通讯作者：
Zhu Dazhong
集成片上闪烁层CMOS X射线阵列传感器研究
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批准号：61076075
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项目类别：面上项目
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资助金额：40.0万元
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批准年份：2010
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负责人：朱大中
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依托单位：
生物微环境多参量CMOS数模混合细胞传感集成电路研究
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批准号：60576050
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项目类别：面上项目
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资助金额：22.0万元
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批准年份：2005
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负责人：朱大中
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依托单位：
光敏微像素象限阵列和磁敏线阵列融合型CMOS数模混合传感器集成电路
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批准号：90307009
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项目类别：重大研究计划
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资助金额：25.0万元
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批准年份：2003
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负责人：朱大中
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依托单位：
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批准号：60176027
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项目类别：面上项目
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资助金额：20.0万元
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批准年份：2001
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负责人：朱大中
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依托单位：
氧化锌/二氧化硅/硅单片集成可编程声表面波滤波器研究
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批准号：69876031
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项目类别：面上项目
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资助金额：13.0万元
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批准年份：1998
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负责人：朱大中
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依托单位：
硅自对准雪崩击穿电子发射平面阵列集成器件
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批准号：69176025
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项目类别：面上项目
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资助金额：4.0万元
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批准年份：1991
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负责人：朱大中
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依托单位：
国内基金
海外基金