光敏微像素象限阵列和磁敏线阵列融合型CMOS数模混合传感器集成电路
批准号:
90307009
项目类别:
重大研究计划
资助金额:
25.0 万元
负责人:
朱大中
依托单位:
学科分类:
半导体电子器件与集成
结题年份:
2006
批准年份:
2003
项目状态:
已结题
项目参与者:
凌明芳、郭维、孙颖、郭梅娟、郭清、杨莺、周鑫、姚韵若
中文摘要
本项目旨在研究光敏象限阵列和磁敏线阵列两种传感器阵列组成的数模混合信号CMOS传感集成电路系统。它主要由光电二极管微像素有源象限阵列和分裂漏磁敏场效应管有源线阵列、相关二次采样电路、差分放大接口电路和数字控制系统电路组成,并可以进一步嵌入模数转换模块和串行通信接口模块以扩展其系统功能。上述两种传感器阵列不仅与N阱CMOS集成电路实现了兼容集成,还具有兼容的阵列单元有源预处理电路,有利于实现多传感器数据融合处理。在传感器信号处理电路设计中采用的相关二次采样校正电路由开关电容电路和数字时序控制电路组成,可以有效降低传感阵列单元的固定模式噪声。在阵列传感数据处理中采用列并行输出,并可以与模数转换器和通信接口相连,由计算机进行数据融合处理。该双重功能传感系统可以用于近程(磁敏)和远程(光敏)位移传感器和智能识别系统。该研究项目在光/磁传感阵列与CMOS数模混合信号集成电路兼容研究方面都有一定创新
英文摘要
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DOI:
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发表时间:
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期刊:
《固体电子学研究与进展》第24卷 第1期,第55~59页,2004年2月,EI收录
影响因子:
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作者:
[周鑫, 朱大中]
通讯作者:
朱大中
DOI:
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发表时间:
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期刊:
《半导体学报》第27卷第12期,第2155~2159页,2006年,将由EI收录
影响因子:
--
作者:
[刘同, 朱大中]
通讯作者:
朱大中
DOI:
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发表时间:
--
期刊:
《压电与声光》第27卷 第4期,第434~437页,2005年4月,EI page one收录
影响因子:
--
作者:
[周鑫, 朱大中, 郭维]
通讯作者:
郭维
CMOS magnetic sensor integrate
CMOS磁传感器集成
DOI:
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发表时间:
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期刊:
影响因子:
--
作者:
[Guo Qing, Zhu Dazhong, Yao]
通讯作者:
Yao
DOI:
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发表时间:
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期刊:
《传感技术学报》录用,将由EI收录
影响因子:
--
作者:
[刘同, 朱大中]
通讯作者:
朱大中
共 11 条
集成片上闪烁层CMOS X射线阵列传感器研究
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批准号:61076075
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项目类别:面上项目
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资助金额:40.0万元
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批准年份:2010
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负责人:朱大中
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依托单位:
生物微环境多参量CMOS数模混合细胞传感集成电路研究
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批准号:60576050
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项目类别:面上项目
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资助金额:22.0万元
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批准年份:2005
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负责人:朱大中
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依托单位:
硅基射频微机械集成声路传感器研究
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批准号:60176027
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项目类别:面上项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2001
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负责人:朱大中
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依托单位:
氧化锌/二氧化硅/硅单片集成可编程声表面波滤波器研究
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批准号:69876031
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项目类别:面上项目
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资助金额:13.0万元
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批准年份:1998
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负责人:朱大中
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依托单位:
SiGe/Si等平面化真空微电子雪崩击穿电子发射器件研究
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批准号:69676037
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项目类别:面上项目
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资助金额:9.0万元
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批准年份:1996
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负责人:朱大中
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依托单位:
硅自对准雪崩击穿电子发射平面阵列集成器件
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批准号:69176025
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项目类别:面上项目
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资助金额:4.0万元
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批准年份:1991
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负责人:朱大中
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依托单位:
国内基金
海外基金