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硅基射频微机械集成声路传感器研究
结题报告
批准号:
60176027
项目类别:
面上项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
朱大中
依托单位:
学科分类:
F0404.半导体电子器件与集成
结题年份:
2004
批准年份:
2001
项目状态:
已结题
项目参与者:
韩雁、何杞鑫、郭维、孙颖、章安良、陈英、陈继凯
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中文摘要
研究硅基氧化锌压电薄膜材料上带有微机械结构和角媒层被测物质沉积区的射频集成声路传感器。具有Y型参考臂和测量臂双输出声路以进行测量信号与标准信号的比较和运算。并有分斩薝型槽隔离结构和聚酰亚胺吸声结构以减少寄生反射波影响。角媒物质吸收被测物质产生质量沉积效应使集成声路本征频率变化来测定其组份。为新型射频集成声路传感器。
英文摘要
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专利列表
集成片上闪烁层CMOS X射线阵列传感器研究
  • 批准号:
    61076075
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    40.0万元
  • 批准年份:
    2010
  • 负责人:
    朱大中
  • 依托单位:
生物微环境多参量CMOS数模混合细胞传感集成电路研究
  • 批准号:
    60576050
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    22.0万元
  • 批准年份:
    2005
  • 负责人:
    朱大中
  • 依托单位:
光敏微像素象限阵列和磁敏线阵列融合型CMOS数模混合传感器集成电路
  • 批准号:
    90307009
  • 项目类别:
    重大研究计划
  • 资助金额:
    25.0万元
  • 批准年份:
    2003
  • 负责人:
    朱大中
  • 依托单位:
氧化锌/二氧化硅/硅单片集成可编程声表面波滤波器研究
  • 批准号:
    69876031
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    13.0万元
  • 批准年份:
    1998
  • 负责人:
    朱大中
  • 依托单位:
SiGe/Si等平面化真空微电子雪崩击穿电子发射器件研究
  • 批准号:
    69676037
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    9.0万元
  • 批准年份:
    1996
  • 负责人:
    朱大中
  • 依托单位:
硅自对准雪崩击穿电子发射平面阵列集成器件
  • 批准号:
    69176025
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    4.0万元
  • 批准年份:
    1991
  • 负责人:
    朱大中
  • 依托单位:
国内基金
海外基金