GaAs衬底InP-PIN探测器直接键合研究
结题报告
批准号：
60006004
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
18.0 万元
负责人：
陈松岩
依托单位：
厦门大学
学科分类：
F0403.半导体光电子器件与集成
结题年份：
2003
批准年份：
2000
项目状态：
已结题
项目参与者：
江炳熙、吴正云、陈丽蓉、蔡志华、陈小红
关键词：
直接键合.光电集成探测器.
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中文摘要
本课题组自行设计适合光电集成工艺需要的高压低温键合反应室结构,用此来实现在Ga,As衬底上键合InP单晶材料和性能稳定的长波长PIN光电探测器,并确定满足光电集成的键合工艺,为实现光电集成接收器的研究提供新途径.本项目的完成将首次实现长波长光电探测器在GaAs衬底上键合,这为我国集成光电器件研究提供新的参考数据.
英文摘要
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InGaAs/Si大失配异质界面稳定性及高增益带宽积APD研究
  • 批准号：
    62375229
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    49万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    陈松岩
  • 依托单位：
    厦门大学
键合制备高质量Ge/Si异质结材料及高性能PIN光电探测器研究
  • 批准号：
    61974122
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    59.0万元
  • 批准年份：
    2019
  • 负责人：
    陈松岩
  • 依托单位：
    厦门大学
高性能Ge/Si单光子雪崩倍增探测器基础研究
  • 批准号：
    61534005
  • 项目类别：
    重点项目
  • 资助金额：
    300.0万元
  • 批准年份：
    2015
  • 负责人：
    陈松岩
  • 依托单位：
    厦门大学
Si基子带跃迁中红外探测器研究
  • 批准号：
    61176050
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    71.0万元
  • 批准年份：
    2011
  • 负责人：
    陈松岩
  • 依托单位：
    厦门大学
Si基高效率发光新结构制备研究
  • 批准号：
    50672079
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    29.0万元
  • 批准年份：
    2006
  • 负责人：
    陈松岩
  • 依托单位：
    厦门大学
国内基金
海外基金