Si基高效率发光新结构制备研究
批准号：
50672079
项目类别：
面上项目
资助金额：
29.0 万元
负责人：
陈松岩
依托单位：
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
李成、黄美纯、陈主荣、张俊、周笔、邓彩玲、何熙、陈锐、邓和清
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中文摘要
Si基高效率发光材料和结构是实现全Si光电集成的关键问题，也是全世界近年来研究热点。根据我们前期的理论计算的结果表明，Si/Se/Si/O/Si/Se或Si/Se/Si/S/Si/Se 或Si/Se /Si/Se超晶格结构，具有直接带隙特性,可以实现高效率光发射。据此，在本项目中我们采用激光辅助超高真空气相沉积设备，在实验上制备出相应结构材料，并对其能带结构特性、光学特性进行科学测试，并以此材料为
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体学报
影响因子：
--
作者：
[赖虹凯, 余金中, 周笔, 王启明, 汪建元, 李成, 林桂江, 周志文, 张永, 蔡坤煌, 蔡志猛, 陈松岩]
通讯作者：
陈松岩
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
光电子.激光
影响因子：
--
作者：
[陈松岩, 周志文, 李成, 陈荔群, 赖虹凯]
通讯作者：
赖虹凯
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体学报
影响因子：
作者：
[林桂江, 陈松岩, 余金中, 陈锐, 李成, 赖虹凯, ]
通讯作者：
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体学报
影响因子：
--
作者：
[赖虹凯, 陈松岩, 李成, 邓和清, 林桂江, 余金中]
通讯作者：
余金中
DOI：
10.1016/j.ssc.2009.08.001
发表时间：
2009-11
期刊：
Solid State Communications
影响因子：
2.1
作者：
[Bi Zhou;S. Pan;Rui Chen;Songyan Chen;Cheng Li;H. Lai;Jia-Wei Yu;Xianfang Zhu]
通讯作者：
Bi Zhou;S. Pan;Rui Chen;Songyan Chen;Cheng Li;H. Lai;Jia-Wei Yu;Xianfang Zhu
共 20 条
InGaAs/Si大失配异质界面稳定性及高增益带宽积APD研究
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批准号：62375229
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项目类别：面上项目
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资助金额：49万元
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批准年份：2023
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负责人：陈松岩
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依托单位：
键合制备高质量Ge/Si异质结材料及高性能PIN光电探测器研究
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批准号：61974122
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项目类别：面上项目
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资助金额：59.0万元
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批准年份：2019
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负责人：陈松岩
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依托单位：
高性能Ge/Si单光子雪崩倍增探测器基础研究
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批准号：61534005
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项目类别：重点项目
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资助金额：300.0万元
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批准年份：2015
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负责人：陈松岩
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依托单位：
Si基子带跃迁中红外探测器研究
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批准号：61176050
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项目类别：面上项目
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资助金额：71.0万元
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批准年份：2011
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负责人：陈松岩
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依托单位：
GaAs衬底InP-PIN探测器直接键合研究
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批准号：60006004
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项目类别：青年科学基金项目
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资助金额：18.0万元
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批准年份：2000
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负责人：陈松岩
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依托单位：
国内基金
海外基金