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Si基高效率发光新结构制备研究
结题报告
批准号：
50672079
项目类别：
面上项目
资助金额：
29.0 万元
负责人：
陈松岩
依托单位：
学科分类：
E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
李成、黄美纯、陈主荣、张俊、周笔、邓彩玲、何熙、陈锐、邓和清
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中文摘要
Si基高效率发光材料和结构是实现全Si光电集成的关键问题，也是全世界近年来研究热点。根据我们前期的理论计算的结果表明，Si/Se/Si/O/Si/Se或Si/Se/Si/S/Si/Se 或Si/Se /Si/Se超晶格结构，具有直接带隙特性,可以实现高效率光发射。据此，在本项目中我们采用激光辅助超高真空气相沉积设备，在实验上制备出相应结构材料，并对其能带结构特性、光学特性进行科学测试，并以此材料为
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
DOI：--
发表时间：--
期刊：半导体学报
影响因子：--
作者：赖虹凯;余金中;周笔;王启明;汪建元;李成;林桂江;周志文;张永;蔡坤煌;蔡志猛;陈松岩
通讯作者：陈松岩
DOI：--
发表时间：--
期刊：光电子.激光
影响因子：--
作者：陈松岩;周志文;李成;陈荔群;赖虹凯
通讯作者：赖虹凯
DOI：--
发表时间：--
期刊：半导体学报
影响因子：--
作者：林桂江;陈松岩;余金中;陈锐;李成;赖虹凯;
通讯作者：
DOI：--
发表时间：--
期刊：半导体学报
影响因子：--
作者：赖虹凯;陈松岩;李成;邓和清;林桂江;余金中
通讯作者：余金中
DOI：10.1016/j.ssc.2009.08.001
发表时间：2009-11
期刊：Solid State Communications
影响因子：2.1
作者：Bi Zhou;S. Pan;Rui Chen;Songyan Chen;Cheng Li;H. Lai;Jia-Wei Yu;Xianfang Zhu
通讯作者：Bi Zhou;S. Pan;Rui Chen;Songyan Chen;Cheng Li;H. Lai;Jia-Wei Yu;Xianfang Zhu
InGaAs/Si大失配异质界面稳定性及高增益带宽积APD研究
- 批准号：62375229
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：49万元
- 批准年份：2023
- 负责人：陈松岩
- 依托单位：
键合制备高质量Ge/Si异质结材料及高性能PIN光电探测器研究
- 批准号：61974122
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：59.0万元
- 批准年份：2019
- 负责人：陈松岩
- 依托单位：
高性能Ge/Si单光子雪崩倍增探测器基础研究
- 批准号：61534005
- 项目类别：重点项目
- 资助金额：300.0万元
- 批准年份：2015
- 负责人：陈松岩
- 依托单位：
Si基子带跃迁中红外探测器研究
- 批准号：61176050
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：71.0万元
- 批准年份：2011
- 负责人：陈松岩
- 依托单位：
GaAs衬底InP-PIN探测器直接键合研究
- 批准号：60006004
- 项目类别：青年科学基金项目
- 资助金额：18.0万元
- 批准年份：2000
- 负责人：陈松岩
- 依托单位：
国内基金
海外基金
