InGaAs/Si大失配异质界面稳定性及高增益带宽积APD研究
批准号:
62375229
项目类别:
面上项目
资助金额:
49 万元
负责人:
陈松岩
依托单位:
学科分类:
F.信息科学部
结题年份:
--
批准年份:
2023
项目状态:
未结题
项目参与者:
陈松岩
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点,提供专业选题建议
深度指导申报书撰写,确保创新可行
指导项目中标800+,快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
键合制备高质量Ge/Si异质结材料及高性能PIN光电探测器研究
  • 批准号:
    61974122
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    59.0万元
  • 批准年份:
    2019
  • 负责人:
    陈松岩
  • 依托单位:
高性能Ge/Si单光子雪崩倍增探测器基础研究
  • 批准号:
    61534005
  • 项目类别:
    重点项目
  • 资助金额:
    300.0万元
  • 批准年份:
    2015
  • 负责人:
    陈松岩
  • 依托单位:
Si基子带跃迁中红外探测器研究
  • 批准号:
    61176050
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    71.0万元
  • 批准年份:
    2011
  • 负责人:
    陈松岩
  • 依托单位:
Si基高效率发光新结构制备研究
  • 批准号:
    50672079
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    29.0万元
  • 批准年份:
    2006
  • 负责人:
    陈松岩
  • 依托单位:
GaAs衬底InP-PIN探测器直接键合研究
  • 批准号:
    60006004
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    18.0万元
  • 批准年份:
    2000
  • 负责人:
    陈松岩
  • 依托单位:
国内基金
海外基金