InGaAs/Si大失配异质界面稳定性及高增益带宽积APD研究
批准号:
62375229
项目类别:
面上项目
资助金额:
49 万元
负责人:
陈松岩
依托单位:
学科分类:
半导体光电子器件与集成
结题年份:
--
批准年份:
2023
项目状态:
未结题
项目参与者:
陈松岩
键合制备高质量Ge/Si异质结材料及高性能PIN光电探测器研究
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批准号:61974122
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项目类别:面上项目
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资助金额:59.0万元
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批准年份:2019
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负责人:陈松岩
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依托单位:
高性能Ge/Si单光子雪崩倍增探测器基础研究
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批准号:61534005
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项目类别:重点项目
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资助金额:300.0万元
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批准年份:2015
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负责人:陈松岩
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依托单位:
Si基子带跃迁中红外探测器研究
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批准号:61176050
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项目类别:面上项目
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资助金额:71.0万元
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批准年份:2011
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负责人:陈松岩
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依托单位:
Si基高效率发光新结构制备研究
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批准号:50672079
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项目类别:面上项目
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资助金额:29.0万元
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批准年份:2006
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负责人:陈松岩
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依托单位:
GaAs衬底InP-PIN探测器直接键合研究
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批准号:60006004
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:18.0万元
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批准年份:2000
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负责人:陈松岩
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依托单位:
国内基金
海外基金