InGaAs/Si大失配异质界面稳定性及高增益带宽积APD研究
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点,提供专业选题建议
深度指导申报书撰写,确保创新可行
指导项目中标800+,快速提高中标率
微信扫码咨询
键合制备高质量Ge/Si异质结材料及高性能PIN光电探测器研究
- 批准号:61974122
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:59.0万元
- 批准年份:2019
- 负责人:陈松岩
- 依托单位:
高性能Ge/Si单光子雪崩倍增探测器基础研究
- 批准号:61534005
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:300.0万元
- 批准年份:2015
- 负责人:陈松岩
- 依托单位:
Si基子带跃迁中红外探测器研究
- 批准号:61176050
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:71.0万元
- 批准年份:2011
- 负责人:陈松岩
- 依托单位:
Si基高效率发光新结构制备研究
- 批准号:50672079
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:29.0万元
- 批准年份:2006
- 负责人:陈松岩
- 依托单位:
GaAs衬底InP-PIN探测器直接键合研究
- 批准号:60006004
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:18.0万元
- 批准年份:2000
- 负责人:陈松岩
- 依托单位:
国内基金
海外基金
