项目开展了电子聚焦电场增强等离子体离子注入/沉积方法中的等离子体微观离化机理研究。采用Particle In Cell(PIC)的流体计算方法并把蒙特卡罗(Monte Carlo)碰撞的引入对其进行了改进，建立EGD-PIII的自维持模拟系统。掌握了电子聚焦电场增强等离子体离子注入/沉积这种新型注入方法的微观机制、物理本质。以EGD-PIII研究为例，研究等离子体中离子注入过程中离子操控技术。获得EGD-PIII方法的微观离化机制，建立基于微观离化机制的理论指导体系，改善了EGD-PIII的结构,成功实现了均匀注氢,为采用EGD-PIII方法进行Ion-Cut和用于制备高陡峭p型或高陡峭n型层，高陡峭度埋层或者浅结层等电子器件领域的应用做好了准备。通过研究,最终获得电子聚焦电场增强等离子体离子注入/沉积方法中等离子体增强离化等离子体放电的微观指导理论,掌握了电子聚焦电场增强等离子体离子注入/沉积鞘层扩展规律。获得采用栅网和金属环对离子注入路径控制技术手段。项目共发表期刊及会议论文17篇，其中SCI检索文章6篇，影响因子大于3的论文1篇。申请专利1项。培养博士两名、硕士研究生13名，指导本科生毕设12名。