通过K.P微扰理论及有效质量包络函数计算能带结构，进行THz SiGe量子级联超晶格结构的结构优化；利用我们新设计制造的UHV/CVD系统和进口的大功率准分子激光器，首次研究LCVD（激光增强CVD）方法生长THz SiGe量子级联超晶格材料，通过研究衬底温度、气流速度、激光功率密度、脉冲数对超晶格结构的影响，建立一套完善的LCVD制备THz材料的生长工艺；通过PL谱、EL谱、TEM、X-ray等手段，测试分析量子级联材料的性能，进而设计试制THz器件和建立THz器件的测试系统。THz SiGe量子级联超晶格结构是制作THz器件的基础，也是硅基光电子集成的关键。自从2000年瑞典科学家首次得到SiGe量子级联结构的电致发光谱以来，这一研究成为国际研究的热点，然而这还只是开始。本课题的设立将为我国LCVD生长单原子层材料、THz材料和器件的研究开发以及Si基光电子集成的发展打下重要的基础。