ULSI低介电常数CNx薄膜制备及其介电性能的研究
批准号:
60576022
项目类别:
面上项目
资助金额:
25.0 万元
负责人:
徐军
依托单位:
学科分类:
集成电路器件、制造与封装
结题年份:
2008
批准年份:
2005
项目状态:
已结题
项目参与者:
陆文琪、吴爱民、张贺秋、丁万昱、苏元军、张治国
中文摘要
用等离子体辅助非平衡磁控溅射技术制备ULSI低介电常数互连介质CNx薄膜;研究制备工艺、等离子体状态与CNx膜化学成分、结构、性能之间的关系。通过薄膜生长过程的等离子体在线诊断,优化CNx膜及膜-基界面的结构形态,研究CNx膜与Si及Cu等材料的黏附性能;通过真空退火工艺,研究CN膜及界面结构、性能的热稳定性;利用Si/CNx/Cu结构,表征CNx膜的介电常数、漏电流及击穿场强等介电性能,研究CNx膜的结构及Si-CNx、CNx-Cu界面对介电性能的影响,为集成电路低介电常数互连介质材料的制备研究奠定理论及工艺基础。
英文摘要
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DOI:
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发表时间:
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期刊:
真空科学与技术学报
影响因子:
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作者:
[张明明, 陆文琪, 丁万昱, 赵艳艳, 徐军]
通讯作者:
徐军
Influences of substrate temperature on crystalline characteristics and mechanical properties of SiNx films deposited by microwave electron cyclotron resonance magnetron sputtering
衬底温度对微波电子回旋共振磁控溅射SiNx薄膜晶体特性和力学性能的影响
DOI:
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发表时间:
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期刊:
物理学报
影响因子:
--
作者:
[Ding Wan-Yu, Lu Wen-Qi, Xu jun, Dong Chuang, Deng Xin-Lu]
通讯作者:
Deng Xin-Lu
DOI:
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发表时间:
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期刊:
真空科学与技术学报
影响因子:
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作者:
[朴勇, 丁万昱, 陆文琪, 马腾才, 高鹏, 徐军]
通讯作者:
徐军
DOI:
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发表时间:
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期刊:
应用光学,27(4)(2006)274
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
国内基金
海外基金