铜团簇束与硅作用成膜铜在硅中的扩散效应
批准号：
10375028
项目类别：
面上项目
资助金额：
33.0 万元
负责人：
李公平
依托单位：
学科分类：
粒子束与物质相互作用
结题年份：
2006
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
何山虎、李玉红、张小东、张宇、丁宝卫、包良满、潘小东、张梅玲
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中文摘要
用团簇源装置产生铜团簇束，使铜团簇的平均尺度一定，团簇束能量分别为0，1，3，5,10keV。在室温本底高真空条件下分别沉积在单晶硅P-Si(111)，P-Si(100)上成膜制样。退火前，用X射线衍射（XRD）分析薄膜与界面结构,用离子束背散射(RBS)分析铜在硅中的扩散，用扫描电镜（SEM）观察Cu/ Si(111)界面形貌。在N2:H2=9:1气氛下，让样品退火，温度分别为200℃，300℃，每次退火时间t=30分钟，退火后，再用XRD分析薄膜与界面结构，用RBS分析铜在硅中的扩散，用SEM观察样品界面形貌的变化。将它们与蒸发镀膜和一般磁控溅射情况进行对比。弄清楚低能铜团簇束与硅作用成膜铜在硅中的扩散现象和规律；丰富铜团簇束与硅作用的知识及对现有扩散机理的认识。
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
物理学报.54(06).2873-2876,2005.06(SCI收录)
影响因子：
--
作者：
[李公平*, 张梅玲]
通讯作者：
张梅玲
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
真空与低温.12(3).137-141, 2006.09
影响因子：
--
作者：
[曹博, 包良满, 李公平*, 何山虎]
通讯作者：
何山虎
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
真空与低温.11(3).159-161,2005.09
影响因子：
--
作者：
[包良满, 曹博, 李公平*, 何山虎]
通讯作者：
何山虎
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
真空与低温.12(4).200-203,2006.12
影响因子：
--
作者：
[李天晶, 李公平*]
通讯作者：
李公平*
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
物理学报.55(12).6550-6555, 2006.12(SCI收录)
影响因子：
--
作者：
[曹博, 包良满, 李公平*, 何山虎]
通讯作者：
何山虎
共 8 条
电子辐照单晶金红石二氧化钛基的室温铁磁性研究
-
批准号：11975006
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项目类别：面上项目
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资助金额：65.0万元
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批准年份：2019
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负责人：李公平
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依托单位：
氘氘中子辐照单晶二氧化钛的d0磁性研究
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批准号：11575074
-
项目类别：面上项目
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资助金额：62.0万元
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批准年份：2015
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负责人：李公平
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依托单位：
国内基金
海外基金