用团簇源装置产生铜团簇束，使铜团簇的平均尺度一定，团簇束能量分别为0，1，3，5,10keV。在室温本底高真空条件下分别沉积在单晶硅P-Si(111)，P-Si(100)上成膜制样。退火前，用X射线衍射（XRD）分析薄膜与界面结构,用离子束背散射(RBS)分析铜在硅中的扩散，用扫描电镜（SEM）观察Cu/ Si(111)界面形貌。在N2:H2=9:1气氛下，让样品退火，温度分别为200℃，300℃，每次退火时间t=30分钟，退火后，再用XRD分析薄膜与界面结构，用RBS分析铜在硅中的扩散，用SEM观察样品界面形貌的变化。将它们与蒸发镀膜和一般磁控溅射情况进行对比。弄清楚低能铜团簇束与硅作用成膜铜在硅中的扩散现象和规律；丰富铜团簇束与硅作用的知识及对现有扩散机理的认识。