安全静态随机访问存储器（SRAM）的研究与设计
批准号：
60776027
项目类别：
面上项目
资助金额：
30.0 万元
负责人：
邹雪城
依托单位：
学科分类：
集成电路设计
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
余国义、邹志革、刘冬生、李思臻、林映嫣、胡渊、张睿
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
在研究通用的静态随机访问存储器（SRAM）的基础上，研究低成本高安全性SRAM的结构以提高SRAM的抗攻击性能，同时，仍然保留SRAM低功耗高带宽的优点。本课题的目标是针对高安全性SRAM的可信设计和抗攻击机制研究，重点是从电路设计上彻底解决通用SRAM 在掉电情况下的信息残留问题，达到从物理层面上防止SRAM存储的机密信息被攻击的目的。为此，本课题基于90nm标准 CMOS混合信号工艺技术，提出了两种可以彻底解决SRAM信息残留问题的设计方法- - 消除6-管SRAM锁存单元中的数据电荷的方法和清零或改写SRAM存储信息的方法。这两种设计方案具有电路拓扑结构简单、易于与SRAM集成的优点。.本课题的研究成果可以为安全SRAM的设计和实现提供理论基础，将对金融、国防和军事等领域的信息安全产生积极而重要的影响。
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共 9 条
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