基于偏振调控/能带剪裁的高效AlGaN基深紫外LED的研究
批准号:
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项目类别:
面上项目
资助金额:
54 万元
负责人:
冀子武
依托单位:
学科分类:
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份:
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批准年份:
2022
项目状态:
未结题
项目参与者:
冀子武
发光均匀、低热堆积的高性能InGaN基绿光LD的研究
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批准号:51872167
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项目类别:面上项目
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资助金额:60.0万元
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批准年份:2018
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负责人:冀子武
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依托单位:
基于能带工程/应力调控的高效InGaN基红光LED的研究
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批准号:51672163
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项目类别:面上项目
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资助金额:62.0万元
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批准年份:2016
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负责人:冀子武
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依托单位:
利用纳米孔(柱)阵列同时提高LED内、外量子效率的研究
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批准号:91433112
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:100.0万元
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批准年份:2014
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负责人:冀子武
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依托单位:
调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeII型量子阱结构中空间间接发光跃迁的起源
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批准号:10874101
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项目类别:面上项目
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资助金额:43.0万元
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批准年份:2008
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负责人:冀子武
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依托单位:
ZnSe/BeTeII型量子结构中I型跃迁、II型跃迁的物理机制及二者的相互关联
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批准号:10844003
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2008
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负责人:冀子武
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依托单位:
国内基金
海外基金