近些年来，对于半导体异质结构领域的研究一直吸引着人们的广泛关注和极大兴趣。但对于半导体量子阱的研究却几乎都集中在III-V族(或部分II-VI族)的I型量子阱方面，而对于有关II-VI族的II型量子阱的研究却很少报道。本项目选择的由II-VI族宽禁带化合物半导体组成的ZnSe/BeTe II型量子阱，具有很好的结构质量和较长的发光寿命，被认为是研究光电子物理的重要材料和结构。本研究拟通过在不同实验条件（如变温、强磁场等）下对各种光谱的测量、分析，来获取该结构中异质界面处空间间接II型跃迁的信息，探讨其发光起源和物理机制。同时对于ZnSe层中空间直接I型跃迁的光学特性进行深入的研究，以认清I型跃迁与II型跃迁的物理过程的异同。本项目的研究将有助于对II型量子阱的光电子现象认识的深入。