课题基金 / 基金详情

调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeII型量子阱结构中空间间接发光跃迁的起源

批准号:
10874101
项目类别:
面上项目
资助金额:
43.0 万元
负责人:
冀子武
依托单位:
学科分类:
凝聚态物质力热光电性质
结题年份:
2011
批准年份:
2008
项目状态:
已结题
项目参与者:
于新好、李树强、赵建芝、秦羽丰、李强、乔瑞敏、王国强

项目摘要

结项摘要

项目成果

冀子武的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
本项目以II-VI族宽禁带化合物半导体组成的ZnSe/BeTe/ZnSe II型量子阱结构为研究对象,对其光学特性进行系统深入的物性和机理研究。设计、制备不同结构尺寸、不同掺杂浓度的样品,在不同实验条件(如变温、电场、强磁场等)下分别对其I型跃迁和II型跃迁进行各种光谱测量。通过分析I型跃迁的吸收(反射)光谱,来探讨电子掺杂的有效性,并由回旋共振吸收光谱估计其电子浓度。通过解析I型跃迁和II型跃迁的时间分辨发光光谱,分别获取其发光寿命及孔穴从ZnSe层到BeTe层的逃逸时间。仔细研究、分析各种实验结果,确立反映I型跃迁和II型跃迁相互关联的理论模型和速率方程式。最终阐明II型发光跃迁的起源和物理机制。本项目的研究将有助于对II型量子阱的光电子现象认识的深入。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
DOI: 10.1063/1.3156809
发表时间: 2009-06
期刊: The Journal of chemical physics
影响因子: --
作者: [Baiping Han;Ziwu Ji;Yujun Zheng]
通讯作者: Baiping Han;Ziwu Ji;Yujun Zheng
Interface structure effects on optical property of undoped ZnSe/BeTe type-II quantum wells
界面结构对未掺杂ZnSe/BeTe II型量子阱光学性质的影响
DOI: 10.7498/aps.59.7986
发表时间: 2010-11
期刊: 物理学报
影响因子: --
作者: [Zheng Yu-Jun, Lu Yun, Ji Zi-Wu, Xu Xian-Gang]
通讯作者: Xu Xian-Gang
Optical properties of exciton and charged exciton in undoped ZnSe/BeTe type- II quantum wells under high magnetic fields
高磁场下未掺杂ZnSe/BeTe II型量子阱中激子和带电激子的光学性质
DOI: --
发表时间: --
期刊: 物理学报
影响因子: --
作者: [Ji Zi-Wu, Zheng Yu-Jun, Xu Xian-Gang]
通讯作者: Xu Xian-Gang
A weak electron transporting material with high triplet energy and thermal stability via a super twisted structure for high efficient blue electrophosphorescent devices
一种通过超扭曲结构具有高三线态能量和热稳定性的弱电子传输材料,用于高效蓝色电致磷光器件
DOI: 10.1039/c1jm13488d
发表时间: 2011-11
期刊: Journal of Materials Chemistry
影响因子: --
作者: [Gong, Qihuang, Qi, Boyuan, Xing, Xing, Zheng, Lingling, Kong, Sheng, Chen, Zhijian, Qu, Bo, Zhang, Lipei, Ji, Ziwu]
通讯作者: Ji, Ziwu
9
    基于偏振调控/能带剪裁的高效AlGaN基深紫外LED的研究
    • 批准号:
      --
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      54万元
    • 批准年份:
      2022
    • 负责人:
      冀子武
    • 依托单位:
    发光均匀、低热堆积的高性能InGaN基绿光LD的研究
    • 批准号:
      51872167
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      60.0万元
    • 批准年份:
      2018
    • 负责人:
      冀子武
    • 依托单位:
    基于能带工程/应力调控的高效InGaN基红光LED的研究
    • 批准号:
      51672163
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      62.0万元
    • 批准年份:
      2016
    • 负责人:
      冀子武
    • 依托单位:
    利用纳米孔(柱)阵列同时提高LED内、外量子效率的研究
    • 批准号:
      91433112
    • 项目类别:
      重大研究计划
    • 资助金额:
      100.0万元
    • 批准年份:
      2014
    • 负责人:
      冀子武
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金