糖尿病血管并发症是目前糖尿病患者致死、致残的首要因素，“代谢记忆”的存在成为糖尿病血管并发症防治的巨大挑战。根据课题设计，本研究成功建立了“代谢记忆”细胞及动物模型，并进行了表观遗传修饰氧化应激相关基因在高血糖“代谢记忆”中的作用机制的研究。研究结果如下：（1）早期高血糖导致主动脉内皮细胞及动脉组织中持续的氧化应激增强、内皮功能障碍，NOX活性增强，NOX4及其亚基P22表达增高，eNOS表达增高而其磷酸化水平明显下降，在血糖恢复后上述状态仍然持续；（2）抑制NOX活性或者eNOS活性均能使“代谢记忆”组的氧化应激和内皮损伤部分逆转；（3）高糖使NOX4、eNOS启动子区H3K4m1水平升高，H3K9m2、H3K9m3水平下降，甲基化转移酶Set7表达增加及其在NOX4、eNOS启动子区富集，在血糖恢复后仍然持续；（4）Set7基因沉默后,高糖组及代谢记忆组细胞内炎症反应因子MCP-1等表达下降， eNOS、NOX4 mRNA表达量也明显下降，eNOS、NOX4基因启动子区Set7含量及H3K4m1修饰水平较对照组明显下降；而过表达Set7基因则反之。从上述研究结果得出如下结论：（1）早期高血糖造成了主动脉内皮细胞持久的损伤（代谢记忆）（2）NOX4、eNOS来源的活性氧在高血糖“代谢记忆”持续氧化应激及内皮损伤中发挥了重要的作用；（3）H3K4m1、 H3K9m2、H3K9m3协同调节了高糖导致的NOX4、eNOS表达活性的改变（4）甲基转移酶Set7在高血糖“代谢记忆”中介导了内皮细胞NOX4、eNOS基因启动子区H3K4m1的修饰反应，可作为表观遗传修饰的靶点，为逆转代谢记忆，防治糖尿病并发症提供新的治疗靶点。