纳米GaN嵌镶薄膜的光发射和光学非线性

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    69878004
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    14.3万
  • 负责人：
    吴嘉达
  • 依托单位：
    复旦大学
  • 学科分类：
    F0509.光学和光电子材料
  • 结题年份：
    2001
  • 批准年份：
    1998
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    1999-01-01 至2001-12-31

项目摘要

纳米GaN晶及其嵌镶材料作为新型的光子学和光电子学材料，已显示潜在的应用前景。本项磕庵饕约す馍帐唇岷系缱踊匦舱裎⒉ǚ诺绲姆椒ㄖ票刚饫嗲断獗∧ぃ煌ü返墓夥⑸浜头窍咝缘难芯浚私饽擅拙У某叽纾ǘ纫约盎什牧系闹掷喽怨庋灾实挠跋欤教种饕闹圃蓟疲剿饔呕牧瞎庋灾实耐揪叮参牧系挠τ每⑻峁┎慰肌

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（12）
专著数量（0）
科研奖励数量（1）
会议论文数量（3）
专利数量（0）
以GaAs为原材料低温制备GaN薄膜
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    功能材料
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    凌浩;应质峰;吴嘉达等
  • 通讯作者：
    吴嘉达等
Low-temperature synthesis of AIN films through electron cyclotron resonance plasma adided reactive pulsed laser deposition
电子回旋共振等离子体辅助反应脉冲激光沉积低温合成 AIN 薄膜
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Appl. Phys. A,
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    孙剑;吴嘉达;应质峰等
  • 通讯作者：
    应质峰等
Electron cyclotron resonance plasma-assisted pulsed laser deposition of boron carbon nitride films
电子回旋共振等离子体辅助脉冲激光沉积氮化硼碳薄膜
  • DOI：
    10.1016/s0925-9635(02)00047-x
  • 发表时间：
    2002-09-01
  • 期刊：
    DIAMOND AND RELATED MATERIALS
  • 影响因子：
    4.1
  • 作者：
    Ling, H;Wu, JD;Li, FM
  • 通讯作者：
    Li, FM
Influences of substrate bias on the composition and structure of carbon nitride thin films prepared by ECR-plasma assisted pulsed laser deposition
衬底偏压对ECR-等离子体辅助脉冲激光沉积氮化碳薄膜成分和结构的影响
  • DOI：
    10.1016/s0925-9635(02)00101-2
  • 发表时间：
    2002-08
  • 期刊：
    Diamond Rel. Mater.
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    凌浩;吴嘉达;孙剑等
  • 通讯作者：
    孙剑等
用脉冲激光沉积方法制备氮化铝薄膜
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    中国激光
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    凌浩;施维;孙剑等
  • 通讯作者：
    孙剑等

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其他文献

激光诱导等离子体在真空和低压非活性气氛中的演变
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    物理与工程
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    应质峰等;吴嘉达;凌浩
  • 通讯作者：
    凌浩
退火对CNX薄膜光学性质的影响
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Chinese J. Infrared Millim. Waves,22,213-216(2003)
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    郜小勇;张晋敏;凌浩;王松有;吴嘉达;杨月梅;陈良尧
  • 通讯作者：
    陈良尧
Preparation of AlN films by pulsed laser deposition using sintered aluminum nitride and elemental aluminum as raw materials
以烧结氮化铝和单质铝为原料脉冲激光沉积制备AlN薄膜
  • DOI：
    10.1116/1.1329119
  • 发表时间：
    2001-01
  • 期刊：
    J. Vac. Sci. Technol. A
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    吴嘉达;孙剑;应质峰等
  • 通讯作者：
    应质峰等
Photoluminescence and its time evolution of AlN thin films
AlN薄膜的光致发光及其时间演化
  • DOI：
    10.1016/s0375-9601(01)00087-1
  • 发表时间：
    2001-03
  • 期刊：
    Phys. Lett. A
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    应质峰等;孙剑;吴嘉达
  • 通讯作者：
    吴嘉达
Low-temperature synthesis of nitride films by ECR plasma aided reactive pulsed laser deposition
ECR等离子体辅助反应脉冲激光沉积低温合成氮化物薄膜
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    J. Korean Vac. Soc.
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    孙剑;吴嘉达;应质峰等
  • 通讯作者：
    应质峰等

其他文献

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相似国自然基金

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相似海外基金

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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