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CdZnTe单晶表面与界面基本物理特性研究

批准号:
50902113
项目类别:
青年科学基金项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
查钢强
依托单位:
学科分类:
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份:
2012
批准年份:
2009
项目状态:
已结题
项目参与者:
傅莉、白旭旭、黄育红、高俊宁

项目摘要

结项摘要

项目成果

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中文摘要
CdZnTe不仅是新一代室温核辐射探测器材料,还是理论转换效率高达27%的太阳能电池材料。CdZnTe的表面与界面状态是影响其器件性能的关键因素,本项目拟采用同步辐射光电子能谱技术(SRPES)结合第一性原理计算深入研究CdZnTe晶体表面与界面的基本物理特性。主要包括:(1)在超高真空条件下获得理想清洁有序的CdZnTe单晶表面,采用低能电子衍射和SRPES研究其表面原子结构和电子结构,并结合第一性原理计算,构造表面原子弛豫和重构模型。(2)结合SRPES和第一性原理计算,研究H2O和O2气体分子在CdZnTe不同取向表面的物理吸附和化学吸附,研究CdZnTe表面功函数变化规律,揭示CdZnTe在空气中的老化机理。(3)在CdZnTe单晶衬底上制备CdS薄膜,采用SRPES研究CdZnTe/CdS界面的成分扩散、界面反应和能带弯曲,揭示界面反应和成分扩散对界面能带弯曲的影响规律。
英文摘要
CdZnTe不仅是新一代室温核辐射探测器材料,还是理论转换效率高达27%的太阳能电池材料。CdZnTe的表面与界面状态是影响其器件性能的关键因素,本项目采用同步辐射光电子能谱技术(SRPES)结合第一性原理计算研究CdZnTe晶体表面与界面的基本物理特性。取得的主要研究成果如下:(1)在超高真空条件下获得理想清洁有序的CdZnTe单晶表面,采用低能电子衍射和SRPES研究其表面原子结构和电子结构,构造了表面原子弛豫和重构模型。(2)结合SRPES和第一性原理计算,研究H2O和O2气体分子在CdZnTe表面的物理吸附和化学吸附规律,研究CdZnTe表面功函数变化规律,揭示了CdZnTe在空气中的老化机理。(3)在CdS(0001)单晶衬底上外延生长出CdTe薄膜,采用SRPES研究CdTe/CdS界面的成分扩散、界面反应和能带弯曲,揭示界面反应和成分扩散对界面能带弯曲的影响规律。(4)在此基础上,开展了CdZnTe薄膜的制备与性能表征研究。发表学术论文16篇,其中英文论文10篇,SCI收录论文10篇,共形成专利技术4项。培养博士研究生3人,硕士研究生2人。
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
DOI: --
发表时间: --
期刊: 材料工程
影响因子: --
作者: [郝建伟, 查钢强, 介万奇]
通讯作者: 介万奇
DOI: 10.1088/0022-3727/43/34/345104
发表时间: 2010-09
期刊: Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子: --
作者: [Ruihua Nan;W. Jie;G. Zha;Tao Wang;Yadong Xu;Weihua Liu]
通讯作者: Ruihua Nan;W. Jie;G. Zha;Tao Wang;Yadong Xu;Weihua Liu
Adsorption of water molecules on the CdZnTe (1 1 1) B surface
CdZnTe(1 1 1) B表面水分子的吸附
DOI: 10.1016/j.cplett.2010.02.013
发表时间: 2010-04
期刊: Chemical Physics Letters
影响因子: 2.8
作者: [Wang, Yabing, Zhu, Junfa, Jie, Wanqi, Zha, Gangqiang, Zhang, Wenhua, Hua, Hui, Wang, Tao, Fu, Li, Bai, Xuxu, Yuan, Yanyan]
通讯作者: Yuan, Yanyan
First principle study on the electronic and magnetic properties in Zn0.75Cr0.25M (M = S, Se, Te) semiconductors
Zn0.75Cr0.25M(M=S、Se、Te)半导体电子和磁性能的第一原理研究
DOI: 10.1016/j.jallcom.2012.06.017
发表时间: 2012-10
期刊: Journal of Alloys and Compounds
影响因子: 6.2
作者: [Huang, Yu-hong, Jie, Wan-qi, Zha, Gang-qiang]
通讯作者: Zha, Gang-qiang
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    高空间分辨伽马成像用CdZnTe像素探测器研究
    • 批准号:
      61874089
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      63.0万元
    • 批准年份:
      2018
    • 负责人:
      查钢强
    • 依托单位:
    深能级陷阱对CdZnTe晶体电学性能及辐射探测器性能的影响
    • 批准号:
      61274081
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      85.0万元
    • 批准年份:
      2012
    • 负责人:
      查钢强
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金