课题基金基金详情
功率半导体非完全雪崩击穿NFA新原理及其高临界场新器件研究
批准号：
62274022
项目类别：
面上项目
资助金额：
59 万元
负责人：
章文通
依托单位：
电子科技大学
学科分类：
F0405.半导体器件物理
结题年份：
--
批准年份：
2022
项目状态：
未结题
项目参与者：
章文通
关键词：
功率半导体 雪崩击穿 NFA 高临界场 器件
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功率半导体器件新型MIS耐压层等势场调制基础理论与新结构
  • 批准号：
    62074030
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    59万元
  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    章文通
  • 依托单位：
    电子科技大学
纳米硅高临界场的能量弛豫机理与模型探索
  • 批准号：
    61704020
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    29.0万元
  • 批准年份：
    2017
  • 负责人：
    章文通
  • 依托单位：
    电子科技大学
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