课题基金 / 基金详情

新型集成DFB自脉动激光器的研究

批准号：
60777021
项目类别：
面上项目
资助金额：
34.0 万元
负责人：
朱洪亮
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
光子与光电子器件
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
高季麟、王宝军、程远兵、陈定波、孔端花、孙瑜
关键词：
自脉动DFB－SPL全光时钟恢复

项目摘要

结项摘要

项目成果

朱洪亮的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
半导体分布反馈（DFB）自脉动激光器（SPL）是全光信息处理中解决全光时钟恢复问题、实现全光再生技术的重要器件。利用InP基功能集成技术平台，采用选择区域外延（SAG）和增益耦合、折射率耦合DFB技术，研究SPL集成器件之间的光电耦合模式、研究集成结构之间自脉动形成的机理和控制自脉动产生的机制，研制新型差拍型DFB－SPL，并将其应用于全光时钟恢复系统。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
A Novel Three-Section Self-Pulsating DFB Laser with Hybrid Grating
一种新型混合光栅三段自脉冲DFB激光器
DOI： --
发表时间： 2008-04
期刊： Journal of Semiconductors
影响因子： 5.1
作者： [Wang baojun, Chen Dingbo, Wang liesong, Wang lufeng, Sun yu, Kong duanhua, Wang huan, Liang Song, zhu hongliang, Zhang yunxiao, Zhang Wei]
通讯作者： Zhang Wei
A selective area growth double stack active layer electroabsorption modulator integrated with a distributed feedback laser
集成分布式反馈激光器的选择性区域生长双层有源层电吸收调制器
DOI： 10.1007/s11434-009-0605-5
发表时间： 2009-11
期刊： 科学通报(英文版)
影响因子： --
作者： [Zhu NingHua, Wang Wei, Zhu HongLiang, Zhao LingJuan, Kong DuanHua, Liang Song]
通讯作者： Liang Song
All-optical clock recovery using a ridge width varied two-section partly gain-coupled DFB self-pulsation laser
使用脊宽变化的两部分部分增益耦合 DFB 自脉冲激光器的全光时钟恢复
DOI： 10.1016/j.optcom.2010.06.022
发表时间： 2010-10
期刊： Optics Communications
影响因子： 2.4
作者： [Zhao, X. F., Liang, S., Zhao, L. J., Lou, C. X., Zhu, H. L., Wang, L., Kong, D. H., Wang, B. J.]
通讯作者： Wang, B. J.
A ridge width varied two-section index-coupled DFB self-pulsation laser with a wide continuously tunable frequency range
具有宽连续可调频率范围的脊宽变化的两段折射率耦合DFB自脉冲激光器
DOI： 10.1088/0022-3727/42/12/125105
发表时间： 2009-06
期刊： Journal of Physics D-Applied Physics
影响因子： 3.4
作者： [D. H. Kong, H. L. Zhu, S. Liang, H. G. Zhang, Y. S, L. J. Zhao]
通讯作者： L. J. Zhao
共 6 条
    MOVPE长波长InAs/GaAs量子点及其激光器件的研究
    • 批准号：
      60476009
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      23.0万元
    • 批准年份：
      2004
    • 负责人：
      朱洪亮
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    大应变量子阱长波长半导体激光器的研制
    • 批准号：
      60176023
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      20.0万元
    • 批准年份：
      2001
    • 负责人：
      朱洪亮
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    干法刻蚀InP系材料表面损伤缺陷的研究
    • 批准号：
      68906004
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      2.0万元
    • 批准年份：
      1989
    • 负责人：
      朱洪亮
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    国内基金
    海外基金