干法刻蚀InP系材料表面损伤缺陷的研究
批准号：
68906004
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
2.0 万元
负责人：
朱洪亮
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
F0405.半导体器件物理
结题年份：
1992
批准年份：
1989
项目状态：
已结题
项目参与者：
陈纪英、任瑞英
关键词：
干法刻蚀ＩｎＰ表面损伤
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