大应变量子阱长波长半导体激光器的研制
结题报告
批准号:
60176023
项目类别:
面上项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
朱洪亮
学科分类:
F0403.半导体光电子器件与集成
结题年份:
2004
批准年份:
2001
项目状态:
已结题
项目参与者:
赵玲娟、周帆
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中文摘要
作为激光传感系统的光源,发光波长在1.6至2.0微米的半导体激光器已得到广泛的应用,如气体浓度分析,大气环境检测以及半导体生产过程控制。本研究使用金属有机化学气相淀积法,在有源层中引入大应变量子阱结构以获得发光波长在1.6至2.0微米的半导体激光器。预期达到5毫瓦以上的连续输出光功率,并实现单纵模光谱以满足激光传感系统的需要。
英文摘要
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1.78μm strained InGaAs-InGaAsP -InP distributed feedback quantum well lasers
1.78μm应变InGaAs-InGaAsP -InP分布反馈量子阱激光器
DOI:--
发表时间:--
期刊:J.optoelectronics Laser
影响因子:--
作者:Shurong Wang;Wang hui;Wang baojun;Zhu Hongliang;Zhang jing;Ding ying;Zhao lingjuan;Zhou fan;Wang lufeng;Wang wei.
通讯作者:Wang wei.
Compressively Strained InGaAs / InGaAsP Quantum Well Distributed Feedback Laser at 1.74 micron
1.74 微米压缩应变 InGaAs / InGaAsP 量子阱分布反馈激光器
DOI:--
发表时间:--
期刊:已经投递到<< 半导体学报 >>正在审查中
影响因子:--
作者:Pan Jiao-Qing;Wang Wei;Zhu Hong-Liang;Zhao Qian;Wang Bao-Jun;Zhou Fan;Wang Lu-Feng
通讯作者:Wang Lu-Feng
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  • 批准号:
    68906004
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    2.0万元
  • 批准年份:
    1989
  • 负责人:
    朱洪亮
  • 依托单位:
国内基金
海外基金