大应变量子阱长波长半导体激光器的研制
批准号：
60176023
项目类别：
面上项目
资助金额：
20.0 万元
负责人：
朱洪亮
依托单位：
学科分类：
半导体光电子器件与集成
结题年份：
2004
批准年份：
2001
项目状态：
已结题
项目参与者：
赵玲娟、周帆
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
作为激光传感系统的光源，发光波长在1.6至2.0微米的半导体激光器已得到广泛的应用，如气体浓度分析，大气环境检测以及半导体生产过程控制。本研究使用金属有机化学气相淀积法，在有源层中引入大应变量子阱结构以获得发光波长在1.6至2.0微米的半导体激光器。预期达到5毫瓦以上的连续输出光功率，并实现单纵模光谱以满足激光传感系统的需要。
英文摘要
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1.78μm strained InGaAs-InGaAsP -InP distributed feedback quantum well lasers
1.78μm应变InGaAs-InGaAsP -InP分布反馈量子阱激光器
1.78μm应变InGaAs-InGaAsP -InP分布反馈量子阱激光器
DOI：
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发表时间：
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期刊：
J.optoelectronics Laser
影响因子：
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作者：
[Shurong Wang, Wang hui, Wang baojun, Zhu Hongliang, Zhang jing, Ding ying, Zhao lingjuan, Zhou fan, Wang lufeng, Wang wei.]
通讯作者：
Wang wei.
Compressively Strained InGaAs / InGaAsP Quantum Well Distributed Feedback Laser at 1.74 micron
1.74 微米压缩应变 InGaAs / InGaAsP 量子阱分布反馈激光器
1.74 微米压缩应变 InGaAs / InGaAsP 量子阱分布反馈激光器
DOI：
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发表时间：
--
期刊：
已经投递到<< 半导体学报 >>正在审查中
影响因子：
--
作者：
[Pan Jiao-Qing, Wang Wei, Zhu Hong-Liang, Zhao Qian, Wang Bao-Jun, Zhou Fan, Wang Lu-Feng]
通讯作者：
Wang Lu-Feng
新型集成DFB自脉动激光器的研究
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批准号：60777021
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项目类别：面上项目
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资助金额：34.0万元
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批准年份：2007
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负责人：朱洪亮
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依托单位：
MOVPE长波长InAs/GaAs量子点及其激光器件的研究
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批准号：60476009
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项目类别：面上项目
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资助金额：23.0万元
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批准年份：2004
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负责人：朱洪亮
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依托单位：
干法刻蚀InP系材料表面损伤缺陷的研究
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批准号：68906004
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项目类别：青年科学基金项目
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资助金额：2.0万元
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批准年份：1989
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负责人：朱洪亮
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依托单位：
国内基金
海外基金