MOVPE长波长InAs/GaAs量子点及其激光器件的研究

批准号:
60476009
项目类别:
面上项目
资助金额:
23.0 万元
负责人:
朱洪亮
依托单位:
学科分类:
F0401.半导体材料
结题年份:
2007
批准年份:
2004
项目状态:
已结题
项目参与者:
周帆、梁松、杨华、王宝军
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中文摘要
利用金属有机汽相外延(MOVPE)技术研究生长InAs/GaAs量子点及其激光器。主要研究InAs量子点在汽相外延过程中的成核特点和规律以及相关机理,研究应变缓冲层和应变减弱层材料对量子点发光强度的影响及其对载流子的限制作用,探索高发光效率长波长量子点材料的汽相外延生长条件,并进一步开发出长波长量子点激光器。本课题的研发将促进MOVPE技术在长波长量子点器件领域的应用发展。
英文摘要
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会议论文列表
专利列表
Effect of GaAs(100) 2o surface
GaAs(100) 2o 表面的影响
DOI:--
发表时间:--
期刊:
影响因子:--
作者:S. Liang*, H. L. Zhu, X. L. Ye
通讯作者:S. Liang*, H. L. Zhu, X. L. Ye
Growth of Space Ordered 1.3μm
有序空间增长1.3μm
DOI:--
发表时间:--
期刊:
影响因子:--
作者:S. Liang*, H. L. Zhu, J. Q. Pa
通讯作者:S. Liang*, H. L. Zhu, J. Q. Pa
DOI:--
发表时间:--
期刊:
影响因子:--
作者:S. Liang*, H. L. Zhu,;W. W
通讯作者:W. W
Effect of Annealing on Optical
退火对光学的影响
DOI:--
发表时间:--
期刊:
影响因子:--
作者:S. Liang*, H. L. Zhu, J. Q. Pa
通讯作者:S. Liang*, H. L. Zhu, J. Q. Pa
Comparative study of InAs quan
InAs泉的比较研究
DOI:--
发表时间:--
期刊:
影响因子:--
作者:S. Liang*, H.L. Zhu, J. Q. Pan
通讯作者:S. Liang*, H.L. Zhu, J. Q. Pan
新型集成DFB自脉动激光器的研究
- 批准号:60777021
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:34.0万元
- 批准年份:2007
- 负责人:朱洪亮
- 依托单位:
大应变量子阱长波长半导体激光器的研制
- 批准号:60176023
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:20.0万元
- 批准年份:2001
- 负责人:朱洪亮
- 依托单位:
干法刻蚀InP系材料表面损伤缺陷的研究
- 批准号:68906004
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:2.0万元
- 批准年份:1989
- 负责人:朱洪亮
- 依托单位:
国内基金
海外基金
