课题基金 / 基金详情

MOCVD制备下一代MOSFET用栅介电材料的研究

批准号：
60276020
项目类别：
面上项目
资助金额：
25.0 万元
负责人：
李爱东
依托单位：
南京大学
学科分类：
集成电路器件、制造与封装
结题年份：
2005
批准年份：
2002
项目状态：
已结题
项目参与者：
于涛、吴迪、吕鹏、陆旭兵、凌惠琴、邵起越、刘文超、王毅君
关键词：
栅介电材料.化学气相沉积技术.

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
集成电路的迅猛发展使传统的二氧化硅栅介电材料已趋近其使用极限，寻找可靠的替代材料成为半导体行业迫在眉睫的问题。本项目采用MOCVD方法和新型无碳前体，研究氧化镧高介电膜的生长机理，提出掺氮、掺硅在改进界面稳定性、降低漏电流方面的理论机制，发现1至2种有前景的栅介电材料，发展与半导体工艺兼容的MOCVD栅介电膜制备技术。
英文摘要
基于柔性神经形态器件的新型无机-有机杂化忆阻材料的设计、可控制备与性能研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    --
  • 资助金额：
    58万元
  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    李爱东
  • 依托单位：
    南京大学
基于柔性神经形态器件的新型无机-有机杂化忆阻材料的设计、可控制备与性能研究
  • 批准号：
    52073142
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    58.0万元
  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    李爱东
  • 依托单位：
    南京大学
基于原子层沉积技术的超高密度FePt/CoPt纳米有序阵列的制备与磁性能调控
  • 批准号：
    51571111
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    62.0万元
  • 批准年份：
    2015
  • 负责人：
    李爱东
  • 依托单位：
    南京大学
新型半导体沟道材料与高介电栅介质薄膜的界面调控与电学性能研究
  • 批准号：
    10974085
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    40.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    李爱东
  • 依托单位：
    南京大学
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