集成电路的迅猛发展使传统的二氧化硅栅介电材料已趋近其使用极限，寻找可靠的替代材料成为半导体行业迫在眉睫的问题。本项目采用MOCVD方法和新型无碳前体，研究氧化镧高介电膜的生长机理，提出掺氮、掺硅在改进界面稳定性、降低漏电流方面的理论机制，发现1至2种有前景的栅介电材料，发展与半导体工艺兼容的MOCVD栅介电膜制备技术。