集成电路的迅猛发展使传统的二氧化硅栅介电材料趋近了它的使用极限，寻找新的新的高介电常数的替代材料，成为半导体工业迫在眉睫的问题。原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition, ALD)是一种可对膜厚进行近似原子层的精确控制的新型制备技术，由于其独特的生长机理，特别是其在界面调控方面表现出的优势，在深亚微米集成电路和纳米结构的制备上显示出巨大的应用前景。本项目拟采用ALD方法和新型的无碳、无氯前体，研究不同前驱体、衬底对ALD生长特性的影响，建立ALD生长的表面物理化学机制及其与前驱体的关系。在设计和制备若干纳米层状（Nanolaminate）双元金属氧化物高介电薄膜的实验基础上，提出改进界面稳定性的对策。发现一种在半导体工业上有望实用化的高介电薄膜。发展出一套使用新型前驱体，适合制备高介电常数栅介电膜、并与MOSFETs制备工艺相兼容的ALD技术。