生长温度周期调制的MOCVD法制备p型ZnO薄膜研究
批准号：
60776015
项目类别：
面上项目
资助金额：
32.0 万元
负责人：
杨少延
依托单位：
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
焦春美、朱勤生、魏鸿源、董向芸、张攀峰、范海波、杨安丽、郑高林、宋华平
项目摘要
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项目成果
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中文摘要
ZnO的p型薄膜制备一直是难点，是目前制备ZnO pn结器件的主要障碍。研究表明：过低的生长温度有利于p型掺杂剂（如氮原子）的并入而获得较高的空穴浓度，但材料的结晶度却降低；如提高生长温度，虽有利于提高材料结晶度，但p型掺杂剂却不易并入。为解决这一问题，本项目通过对p型ZnO的MOCVD生长和掺杂机制的深入研究，创造性的将衬底基座改为具有吹气式快速升降温功能的双温区设计，实现了低温掺杂生长和高温快速退火在MOCVD中的巧妙结合。先利用低温生长将氮掺杂剂并入晶体，然后在高温下快速退火提高晶体质量，如此周期交替的生长温度调制生长，使稳定可控p型材料实现与二维平整单晶生长兼顾。在获得高性能的p型ZnO薄膜基础上，实现ZnO同质结LED电注入室温紫外发光（激子发光波长不大于400nm），为进一步实现ZnO异质结发光器件(如激光器)奠定基础。
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DOI：
10.1088/0022-3727/41/20/205416
发表时间：
2008-10
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
[A. Yang;H. Wei;X. Liu;H. Song;H. Fan;P. F. Zhang;G. Zheng;S. Yang;Q. Zhu;Z. Wang]
通讯作者：
A. Yang;H. Wei;X. Liu;H. Song;H. Fan;P. F. Zhang;G. Zheng;S. Yang;Q. Zhu;Z. Wang
Temperature dependence of structural and optical properties of ZnO films grown using methanol as oxidant by MOCVD
使用甲醇作为氧化剂通过 MOCVD 生长 ZnO 薄膜的结构和光学特性的温度依赖性
使用甲醇作为氧化剂通过 MOCVD 生长 ZnO 薄膜的结构和光学特性的温度依赖性
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
人工晶体学报
影响因子：
--
作者：
[WANG Zhan-Guo(王占国）, YANG Shao-Yan(杨少延), WANG Zhen-Hua(王振华), YANG An-Li(杨安丽), LIU Xian, WEI Hong-Yuan(魏鸿源), JIAO Chun-Mei(焦春美), ZHU Qin-She]
通讯作者：
ZHU Qin-She
DOI：
10.1063/1.2926679
发表时间：
2008-05
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[H. Fan;G. Sun;S. Yang;P. F. Zhang;Riqing Zhang;H. Wei;C. Jiao;Xuchun Liu;Yu Chen;Q. Zhu]
通讯作者：
H. Fan;G. Sun;S. Yang;P. F. Zhang;Riqing Zhang;H. Wei;C. Jiao;Xuchun Liu;Yu Chen;Q. Zhu
DOI：
10.1063/1.3123814
发表时间：
2009-04
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[A. Yang;H. Song;H. Wei;Xue-Yuan Liu;J. X. Wang;X. Lv;P. Jin;S. Yang;Q. Zhu;Z. Wang-]
通讯作者：
A. Yang;H. Song;H. Wei;Xue-Yuan Liu;J. X. Wang;X. Lv;P. Jin;S. Yang;Q. Zhu;Z. Wang-
DOI：
10.1016/j.apsusc.2009.10.109
发表时间：
2010-02
期刊：
Applied Surface Science
影响因子：
6.7
作者：
[G. Zheng;A. Yang;Hongyuan Wei;X. Liu;Huaping Song;Yan Guo;C. Jia;C. Jiao;Shao-yan Yang;Qinsheng Zhu;Zhanguo Wang]
通讯作者：
G. Zheng;A. Yang;Hongyuan Wei;X. Liu;Huaping Song;Yan Guo;C. Jia;C. Jiao;Shao-yan Yang;Qinsheng Zhu;Zhanguo Wang
共 18 条
垂直结构氮化镓电力电子器件研制中的关键材料制备工艺研究
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批准号：61774147
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项目类别：面上项目
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资助金额：70.0万元
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批准年份：2017
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负责人：杨少延
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依托单位：
利用玻璃衬底制备新型InGaN基量子点全光谱太阳电池材料研究
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批准号：91233111
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项目类别：重大研究计划
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资助金额：80.0万元
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批准年份：2012
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负责人：杨少延
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依托单位：
硅基氮化镓厚膜制备中的大失配应力调控方法与机制研究
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批准号：60976008
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项目类别：面上项目
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资助金额：46.0万元
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批准年份：2009
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负责人：杨少延
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依托单位：
GaN与ZnO异质外延中的Si基协变超薄中间层研究
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批准号：60506002
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项目类别：青年科学基金项目
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资助金额：23.0万元
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批准年份：2005
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负责人：杨少延
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依托单位：
国内基金
海外基金