II-VI族化合物晶体中位错与沉淀相的形成与控制
批准号:
59982006
项目类别:
专项基金项目
资助金额:
14.0 万元
负责人:
介万奇
依托单位:
学科分类:
E0201.人工晶体与玻璃材料
结题年份:
2002
批准年份:
1999
项目状态:
已结题
项目参与者:
刘俊成、宋涛、常永勤、李宇杰、谷智、吴玲芝、华慧
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探测器级CdZnTe晶体中微观结构缺陷形成机制与表征方法
- 批准号:51372205
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:80.0万元
- 批准年份:2013
- 负责人:介万奇
- 依托单位:
新型非致冷红外探测晶体材料MIT(碲铟汞)合成与单晶生长
- 批准号:50872111
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:40.0万元
- 批准年份:2008
- 负责人:介万奇
- 依托单位:
化合物半导体晶体生长与缺陷控制的热物理问题
- 批准号:50336040
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:150.0万元
- 批准年份:2003
- 负责人:介万奇
- 依托单位:
稀磁半导体HgMnTe体单晶生长理论与技术的研究
- 批准号:59672004
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:10.0万元
- 批准年份:1996
- 负责人:介万奇
- 依托单位:
强制对流控制单相与共晶合金定向凝固过程的探索
- 批准号:59371044
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:7.5万元
- 批准年份:1993
- 负责人:介万奇
- 依托单位:
国内基金
海外基金















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