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化合物半导体晶体生长与缺陷控制的热物理问题
结题报告
批准号：
50336040
项目类别：
重点项目
资助金额：
150.0 万元
负责人：
介万奇
依托单位：
西北工业大学
学科分类：
E0605.多相流热物理学
结题年份：
2007
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
白博峰、卢文强、坚增运、陈赋、赵亮、华慧、张西民、杨靖、谷智
关键词：
化合物半导体晶体生长热物理晶体改性..多场耦合
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中文摘要
以II－VI族化合物半导体晶体生长过程为背景，将工程热物理的基本理论与晶体材料的制备过程联系起来，研究晶体生长过程中的传热、传质、对流及其耦合效应；掺杂、点缺陷及其沉淀相形成的热力学与动力学规律；位错、孪晶形成机制及其与其他缺陷的交互作用；晶体生长过程的热物理多场反问题监测与辨识理论；探索晶体组织的多尺度模型及数值求解方法。通过对上述理论问题的研究，建立材料制备过程的外场条件与材料内部结构、性质演
英文摘要
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Optical and electrical propert
光电性能
DOI：--
发表时间：--
期刊：
影响因子：--
作者：Qiang Li, Wanqi Jie
通讯作者：Qiang Li, Wanqi Jie
稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te磁化强
DOI：--
发表时间：--
期刊：物理学报，2007，56（2）：1141-1144
影响因子：--
作者：王泽温;介万奇
通讯作者：介万奇
碲铟汞晶体的生长研究
DOI：--
发表时间：--
期刊：人工晶体学报, 2007, 36 (2): 253-255
影响因子：--
作者：王领航;董阳春;介万奇
通讯作者：介万奇
Microstructure and Micromorpho
微观结构和微观形貌
DOI：--
发表时间：--
期刊：
影响因子：--
作者：Huanyong Li, Wanqi Jie
通讯作者：Huanyong Li, Wanqi Jie
化合物晶体Bridgman生长过程中的
DOI：--
发表时间：--
期刊：中国科学院研究生院学报，2007,2（2）:161-166
影响因子：--
作者：石科峰;卢文强
通讯作者：卢文强
探测器级CdZnTe晶体中微观结构缺陷形成机制与表征方法
  • 批准号：
    51372205
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    介万奇
  • 依托单位：
    西北工业大学
新型非致冷红外探测晶体材料MIT（碲铟汞）合成与单晶生长
  • 批准号：
    50872111
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    40.0万元
  • 批准年份：
    2008
  • 负责人：
    介万奇
  • 依托单位：
    西北工业大学
II-VI族化合物晶体中位错与沉淀相的形成与控制
  • 批准号：
    59982006
  • 项目类别：
    专项基金项目
  • 资助金额：
    14.0万元
  • 批准年份：
    1999
  • 负责人：
    介万奇
  • 依托单位：
    西北工业大学
稀磁半导体HgMnTe体单晶生长理论与技术的研究
  • 批准号：
    59672004
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    1996
  • 负责人：
    介万奇
  • 依托单位：
    西北工业大学
强制对流控制单相与共晶合金定向凝固过程的探索
  • 批准号：
    59371044
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    7.5万元
  • 批准年份：
    1993
  • 负责人：
    介万奇
  • 依托单位：
    西北工业大学
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