化合物半导体晶体生长与缺陷控制的热物理问题
批准号：
50336040
项目类别：
重点项目
资助金额：
150.0 万元
负责人：
介万奇
依托单位：
学科分类：
多相流热物理学
结题年份：
2007
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
白博峰、卢文强、坚增运、陈赋、赵亮、华慧、张西民、杨靖、谷智
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中文摘要
以II－VI族化合物半导体晶体生长过程为背景，将工程热物理的基本理论与晶体材料的制备过程联系起来，研究晶体生长过程中的传热、传质、对流及其耦合效应；掺杂、点缺陷及其沉淀相形成的热力学与动力学规律；位错、孪晶形成机制及其与其他缺陷的交互作用；晶体生长过程的热物理多场反问题监测与辨识理论；探索晶体组织的多尺度模型及数值求解方法。通过对上述理论问题的研究，建立材料制备过程的外场条件与材料内部结构、性质演
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[Qiang Li, Wanqi Jie]
通讯作者：
Qiang Li, Wanqi Jie
DOI：
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发表时间：
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期刊：
物理学报，2007，56（2）：1141-1144
影响因子：
--
作者：
[王泽温, 介万奇]
通讯作者：
介万奇
DOI：
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发表时间：
--
期刊：
人工晶体学报, 2007, 36 (2): 253-255
影响因子：
--
作者：
[王领航, 董阳春, 介万奇]
通讯作者：
介万奇
Microstructure and Micromorpho
微观结构和微观形貌
微观结构和微观形貌
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[Huanyong Li, Wanqi Jie]
通讯作者：
Huanyong Li, Wanqi Jie
DOI：
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发表时间：
--
期刊：
中国科学院研究生院学报，2007,2（2）:161-166
影响因子：
--
作者：
[石科峰, 卢文强]
通讯作者：
卢文强
共 104 条
探测器级CdZnTe晶体中微观结构缺陷形成机制与表征方法
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批准号：51372205
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项目类别：面上项目
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资助金额：80.0万元
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批准年份：2013
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负责人：介万奇
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依托单位：
新型非致冷红外探测晶体材料MIT（碲铟汞）合成与单晶生长
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批准号：50872111
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项目类别：面上项目
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资助金额：40.0万元
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批准年份：2008
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负责人：介万奇
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依托单位：
II-VI族化合物晶体中位错与沉淀相的形成与控制
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批准号：59982006
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项目类别：专项基金项目
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资助金额：14.0万元
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批准年份：1999
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负责人：介万奇
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依托单位：
稀磁半导体HgMnTe体单晶生长理论与技术的研究
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批准号：59672004
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项目类别：面上项目
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资助金额：10.0万元
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批准年份：1996
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负责人：介万奇
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依托单位：
强制对流控制单相与共晶合金定向凝固过程的探索
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批准号：59371044
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项目类别：面上项目
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资助金额：7.5万元
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批准年份：1993
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负责人：介万奇
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依托单位：
国内基金
海外基金