本项目以碲铟汞这一可在室温工作的近红外探测器材料为对象，研究II-VI族化合物与III-VI族化合物形成的固溶体型化合物半导体的成分与结构和性能的关系。首先通过研究该晶体材料成分与结构性能之间的关系，进行晶体成分的优化设计；通过对该晶体材料反应动力学原理的分析，探索晶体合成过程化学反应速率控制，成分均匀性控制和晶体纯度保证的优化工艺；研究碲铟汞单晶体引晶技术，并探讨晶体生长过程中成分偏析、孪晶、位错、各种点缺陷的形成原理与控制的技术问题；进行晶体结构与缺陷分析测试，探讨随着晶体成分的变化，其结构的变化规律以及结构缺陷的形成；进行晶锭中成分分布的测定，并与生长过程的工艺参数相结合，揭示In在晶体中的偏析规律；通过对晶体能带结构、光学性能和电学性能的测试，并通过与晶体生长工艺条件和结构缺陷测试结果的比较，掌握碲铟汞晶体"生长工艺条件－结构缺陷－物理性能"的对应关系。