稀磁半导体HgMnTe体单晶生长理论与技术的研究
批准号:
59672004
项目类别:
面上项目
资助金额:
10.0 万元
负责人:
介万奇
依托单位:
学科分类:
人工晶体与玻璃材料
结题年份:
1999
批准年份:
1996
项目状态:
已结题
项目参与者:
刘山、杨可以、刘晓华、徐嵬、李宇杰
探测器级CdZnTe晶体中微观结构缺陷形成机制与表征方法
-
批准号:51372205
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:80.0万元
-
批准年份:2013
-
负责人:介万奇
-
依托单位:
新型非致冷红外探测晶体材料MIT(碲铟汞)合成与单晶生长
-
批准号:50872111
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:40.0万元
-
批准年份:2008
-
负责人:介万奇
-
依托单位:
化合物半导体晶体生长与缺陷控制的热物理问题
-
批准号:50336040
-
项目类别:重点项目
-
资助金额:150.0万元
-
批准年份:2003
-
负责人:介万奇
-
依托单位:
II-VI族化合物晶体中位错与沉淀相的形成与控制
-
批准号:59982006
-
项目类别:专项基金项目
-
资助金额:14.0万元
-
批准年份:1999
-
负责人:介万奇
-
依托单位:
强制对流控制单相与共晶合金定向凝固过程的探索
-
批准号:59371044
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:7.5万元
-
批准年份:1993
-
负责人:介万奇
-
依托单位:
国内基金
海外基金