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稀磁半导体HgMnTe体单晶生长理论与技术的研究
批准号：
59672004
项目类别：
面上项目
资助金额：
10.0 万元
负责人：
介万奇
依托单位：
西北工业大学
学科分类：
E0201.人工晶体与玻璃材料
结题年份：
1999
批准年份：
1996
项目状态：
已结题
项目参与者：
刘山、杨可以、刘晓华、徐嵬、李宇杰
关键词：
稀磁半导体单晶生长碲锰汞
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探测器级CdZnTe晶体中微观结构缺陷形成机制与表征方法
  • 批准号：
    51372205
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    介万奇
  • 依托单位：
    西北工业大学
新型非致冷红外探测晶体材料MIT（碲铟汞）合成与单晶生长
  • 批准号：
    50872111
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    40.0万元
  • 批准年份：
    2008
  • 负责人：
    介万奇
  • 依托单位：
    西北工业大学
化合物半导体晶体生长与缺陷控制的热物理问题
  • 批准号：
    50336040
  • 项目类别：
    重点项目
  • 资助金额：
    150.0万元
  • 批准年份：
    2003
  • 负责人：
    介万奇
  • 依托单位：
    西北工业大学
II-VI族化合物晶体中位错与沉淀相的形成与控制
  • 批准号：
    59982006
  • 项目类别：
    专项基金项目
  • 资助金额：
    14.0万元
  • 批准年份：
    1999
  • 负责人：
    介万奇
  • 依托单位：
    西北工业大学
强制对流控制单相与共晶合金定向凝固过程的探索
  • 批准号：
    59371044
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    7.5万元
  • 批准年份：
    1993
  • 负责人：
    介万奇
  • 依托单位：
    西北工业大学
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