单晶4H碳化硅薄膜的制备及其光学性质研究
批准号:
59772016
项目类别:
面上项目
资助金额:
16.5 万元
负责人:
王玉霞
依托单位:
学科分类:
E0206.功能陶瓷
结题年份:
2000
批准年份:
1997
项目状态:
已结题
项目参与者:
赵建兴、温军、修向前、郭震
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纳米AgI及其复合体系新特性的机理研究
- 批准号:50672095
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:29.0万元
- 批准年份:2006
- 负责人:王玉霞
- 依托单位:
在垂直冷壁LPCVD反应器中外延生长优质单晶SiC薄膜
- 批准号:50372063
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:23.0万元
- 批准年份:2003
- 负责人:王玉霞
- 依托单位:
硅基外延生长优质单晶碳化硅薄膜与缺陷控制方法研究
- 批准号:50172044
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:20.0万元
- 批准年份:2001
- 负责人:王玉霞
- 依托单位:
快离子导体纳米碘化银的制备、结构及物性研究
- 批准号:59972034
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:14.0万元
- 批准年份:1999
- 负责人:王玉霞
- 依托单位:
国内基金
海外基金















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