在垂直冷壁LPCVD反应器中外延生长优质单晶SiC薄膜
批准号：
50372063
项目类别：
面上项目
资助金额：
23.0 万元
负责人：
王玉霞
依托单位：
学科分类：
功能陶瓷
结题年份：
2006
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
何海平、邹优鸣、陈征、王懿
项目摘要
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项目成果
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中文摘要
制备器件可用的优质、低价、大面积单晶碳化硅薄膜是第三代半导体要解决的关键问题，而目前仍存在一些亟待解决的难题，这阻碍器件应用进程。本项目旨在用新创的两步法在硅衬底上制备能用于器件的优质、低价、大面积单晶碳化硅薄膜。研究在6H-SiC/Si衬底上用LPCVD法同质外延生长的SiC薄膜界面及表面缺陷形成的机制。探索控制、减少缺陷的可能措施，寻求最佳制备工艺。同时研究微观结构及缺陷与宏观电子、光学特性等的关系。
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[王玉霞*, 陈征, 何海平, 邹优鸣]
通讯作者：
邹优鸣
Origin of the blue photolumine
蓝色光致发光的起源
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DOI：
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发表时间：
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作者：
[陈征, 王玉霞*, 邹优鸣, 王建文]
通讯作者：
王建文
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通讯作者：
陈征
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[邹优鸣, 王玉霞*, 陈征, 王建文]
通讯作者：
王建文
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
王玉霞*，李赟，陈征，何海平，王建文，邹优鸣，人工晶体学报，2006年4月，第二期，337-341
影响因子：
--
作者：
[王玉霞*, 李赟, 陈征, 何海平]
通讯作者：
何海平
纳米AgI及其复合体系新特性的机理研究
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批准号：50672095
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项目类别：面上项目
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资助金额：29.0万元
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批准年份：2006
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负责人：王玉霞
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依托单位：
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批准号：50172044
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项目类别：面上项目
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资助金额：20.0万元
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批准年份：2001
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负责人：王玉霞
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依托单位：
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批准号：59972034
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依托单位：
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批准号：59772016
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项目类别：面上项目
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批准年份：1997
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负责人：王玉霞
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依托单位：
国内基金
海外基金