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硅基外延生长优质单晶碳化硅薄膜与缺陷控制方法研究
结题报告
批准号：
50172044
项目类别：
面上项目
资助金额：
20.0 万元
负责人：
王玉霞
依托单位：
中国科学技术大学
学科分类：
E0206.功能陶瓷
结题年份：
2004
批准年份：
2001
项目状态：
已结题
项目参与者：
何海平、曹颖、邹优鸣、李明
关键词：
晶态薄膜.缺陷碳化硅.
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中文摘要
制备优质低价低缺陷密度的单晶碳化硅薄膜及体材料是第三代半导体要解决的关键问题，而目前仍存在许多待解决的难题，这严重阻碍了其应用进程。本项目旨在硅片上用有机物和硅氧化物溶胶叠层热解，辅以PLD等方法，制备出无界面层错等缺陷的优质、低价的4H，6H单蓟璞∧ぃ芯考跎偃毕菪纬傻幕撇⑻剿骺刂凭图敖缑嫖⒔峁沟淖罴压ひ詹问
英文摘要
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
纳米AgI及其复合体系新特性的机理研究
  • 批准号：
    50672095
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    29.0万元
  • 批准年份：
    2006
  • 负责人：
    王玉霞
  • 依托单位：
    中国科学技术大学
在垂直冷壁LPCVD反应器中外延生长优质单晶SiC薄膜
  • 批准号：
    50372063
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    23.0万元
  • 批准年份：
    2003
  • 负责人：
    王玉霞
  • 依托单位：
    中国科学技术大学
快离子导体纳米碘化银的制备、结构及物性研究
  • 批准号：
    59972034
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    14.0万元
  • 批准年份：
    1999
  • 负责人：
    王玉霞
  • 依托单位：
    中国科学技术大学
单晶4H碳化硅薄膜的制备及其光学性质研究
  • 批准号：
    59772016
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    16.5万元
  • 批准年份：
    1997
  • 负责人：
    王玉霞
  • 依托单位：
    中国科学技术大学
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